Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Substrates
Ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Substrates beinhaltet einen Rohmaterialpulver-Herstellungsschritt zum Herstellen eines Rohmaterialpulvers, das ein Silicium-Pulver, eine Seltenerdelement-Verbindung und eine Magnesiumverbindung enthält, wobei, wenn die Menge des Siliciums in dem Rohmaterialpulver in Bezug auf einen Siliciumnitrid-Gehalt ausgedrückt wird, das Rohmaterialpulver die Seltenerdelement-Verbindung mit 1 Mol% bis 7 Mol% in Bezug auf einen Oxidgehalt enthält und die Magnesiumverbindung mit 8 Mol% bis 15 Mol% in Bezug auf einen Oxidgehalt enthält; einen Folienformungsschritt zum Formen des Rohmaterialpulvers in einen Foliengegenstand; einen Nitrierschritt zum Erhitzen des Foliengegenstandes in einer Stickstoffatmosphäre bei 1200 °C bis 1500°C und Nitrieren des Siliciums, das in dem Foliengegenstand enthalten ist; und einen Sinterschritt zum Sintern des Foliengegenstandes unter einer Stickstoffatmosphäre nach dem Nitrierschritt.
A method for producing a silicon nitride substrate includes a raw material powder preparation step of preparing a raw material powder containing a silicon powder, a rare earth element compound, and a magnesium compound, wherein, when the amount of silicon in the raw material powder is expressed in terms of a silicon nitride content, the raw material powder contains the rare earth element compound at 1 mol % to 7 mol % in terms of an oxide content and contains the magnesium compound at 8 mol % to 15 mol % in terms of an oxide content; a sheet forming step of forming the raw material powder into a sheet article; a nitriding step of heating the sheet article in a nitrogen atmosphere at 1200° C. to 1500° C. and nitriding silicon contained in the sheet article; and a sintering step of sintering the sheet article under a nitrogen atmosphere after the nitriding step.
Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Substrates
Ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Substrates beinhaltet einen Rohmaterialpulver-Herstellungsschritt zum Herstellen eines Rohmaterialpulvers, das ein Silicium-Pulver, eine Seltenerdelement-Verbindung und eine Magnesiumverbindung enthält, wobei, wenn die Menge des Siliciums in dem Rohmaterialpulver in Bezug auf einen Siliciumnitrid-Gehalt ausgedrückt wird, das Rohmaterialpulver die Seltenerdelement-Verbindung mit 1 Mol% bis 7 Mol% in Bezug auf einen Oxidgehalt enthält und die Magnesiumverbindung mit 8 Mol% bis 15 Mol% in Bezug auf einen Oxidgehalt enthält; einen Folienformungsschritt zum Formen des Rohmaterialpulvers in einen Foliengegenstand; einen Nitrierschritt zum Erhitzen des Foliengegenstandes in einer Stickstoffatmosphäre bei 1200 °C bis 1500°C und Nitrieren des Siliciums, das in dem Foliengegenstand enthalten ist; und einen Sinterschritt zum Sintern des Foliengegenstandes unter einer Stickstoffatmosphäre nach dem Nitrierschritt.
A method for producing a silicon nitride substrate includes a raw material powder preparation step of preparing a raw material powder containing a silicon powder, a rare earth element compound, and a magnesium compound, wherein, when the amount of silicon in the raw material powder is expressed in terms of a silicon nitride content, the raw material powder contains the rare earth element compound at 1 mol % to 7 mol % in terms of an oxide content and contains the magnesium compound at 8 mol % to 15 mol % in terms of an oxide content; a sheet forming step of forming the raw material powder into a sheet article; a nitriding step of heating the sheet article in a nitrogen atmosphere at 1200° C. to 1500° C. and nitriding silicon contained in the sheet article; and a sintering step of sintering the sheet article under a nitrogen atmosphere after the nitriding step.
Verfahren zur Herstellung eines Siliciumnitrid-Substrates
KUSANO DAI (Autor:in) / HIRAO KIYOSHI (Autor:in) / HYUGA HIDEKI (Autor:in) / ZHOU YOU (Autor:in) / TANABE GEN (Autor:in)
16.02.2017
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| Europäisches Patentamt | 2024
Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
| Europäisches Patentamt | 2015
| Europäisches Patentamt | 2016
Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
| Europäisches Patentamt | 2015