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    A MgO sintered sputtering target, wherein a ratio of GOS (Grain Orientation Spread) being 0° to 1° is 75% or higher. A MgO sintered sputtering target, wherein a ratio of KAM (Kernel Average Misorientation) being 0° to 2° is 90% or higher. An object of the present invention is to provide a MgO sintered sputtering target capable of reducing particles.

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    Titel:

    MGO SINTERED BODY SPUTTERING TARGET

    Weitere Titelangaben:

    MGO-SINTERKÖRPER-SPUTTERTARGET
    CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE TYPE CORPS FRITTÉ EN MGO

    Beteiligte:

    SHIBUYA YOSHITAKA (Autor:in) / NARITA SATOYASU (Autor:in) / KAJITA HIROKI (Autor:in)

    Erscheinungsdatum:

    26.04.2023

    Medientyp:

    Patent

    Format:

    Elektronische Ressource

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    IPC:  C23C Beschichten metallischer Werkstoffe , COATING METALLIC MATERIAL / C04B Kalk , LIME / G11B Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler , INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER

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