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MGO SINTERED BODY SPUTTERING TARGET
A MgO sintered body sputtering target which contains particles each having a GOS (grain orientation spread) value of 0 to 1° at a content ratio of 75% or more. A MgO sintered body sputtering target characterized by containing particles each having a KAM (kernel average misorientation) value of 0 to 2° at a content ratio of 90% or more. The present invention addresses the problem of providing a MgO sintered body sputtering target which can contain particles in a reduced amount.
L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique de type corps fritté de MgO qui contient des particules ayant chacune une valeur disposition de l'orientation des grains (GOS) de 0 à 1° à un rapport de teneur de 75 % ou plus. L'invention concerne une cible de pulvérisation de type corps fritté de MgO caractérisée en ce qu'elle contient des particules ayant chacune une valeurKAM (désorientation moyenne de noyau) de 0 à 2° à un rapport de teneur de 90 % ou plus. La présente invention concerne une cible de pulvérisation de type corps fritté de MgO qui peut contenir des particules en quantité réduite.
ＧＯＳ（Grain Orientation Spread）が０°～１°の割合が７５％以上であるＭｇＯ焼結体スパッタリングターゲット。ＫＡＭ（Kernel Average Misorientation）が０°～２°の割合が９０％以上であることを特徴とするＭｇＯ焼結体スパッタリングターゲット。本発明は、パーティクルを低減できるＭｇＯ焼結体スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
MGO SINTERED BODY SPUTTERING TARGET
A MgO sintered body sputtering target which contains particles each having a GOS (grain orientation spread) value of 0 to 1° at a content ratio of 75% or more. A MgO sintered body sputtering target characterized by containing particles each having a KAM (kernel average misorientation) value of 0 to 2° at a content ratio of 90% or more. The present invention addresses the problem of providing a MgO sintered body sputtering target which can contain particles in a reduced amount.
L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique de type corps fritté de MgO qui contient des particules ayant chacune une valeur disposition de l'orientation des grains (GOS) de 0 à 1° à un rapport de teneur de 75 % ou plus. L'invention concerne une cible de pulvérisation de type corps fritté de MgO caractérisée en ce qu'elle contient des particules ayant chacune une valeurKAM (désorientation moyenne de noyau) de 0 à 2° à un rapport de teneur de 90 % ou plus. La présente invention concerne une cible de pulvérisation de type corps fritté de MgO qui peut contenir des particules en quantité réduite.
ＧＯＳ（Grain Orientation Spread）が０°～１°の割合が７５％以上であるＭｇＯ焼結体スパッタリングターゲット。ＫＡＭ（Kernel Average Misorientation）が０°～２°の割合が９０％以上であることを特徴とするＭｇＯ焼結体スパッタリングターゲット。本発明は、パーティクルを低減できるＭｇＯ焼結体スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
MGO SINTERED BODY SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE TYPE CORPS FRITTÉ EN MGO
ＭｇＯ焼結体スパッタリングターゲット
SHIBUYA YOSHITAKA (Autor:in) / NARITA SATOYASU (Autor:in) / KAJITA HIROKI (Autor:in)
19.03.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2018