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    Titel:

    SILICON NITRIDE SUBSTRATE, SILICON NITRIDE-METAL COMPLEX, SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE

    Weitere Titelangaben:

    SILICIUMNITRIDSUBSTRAT, SILIZIUMNITRID-METALL-KOMPLEX, SILICIUMNITRIDLEITERPLATTE UND HALBLEITERGEHÄUSE
    SUBSTRAT DE NITRURE DE SILICIUM, COMPLEXE NITRURE DE SILICIUM-MÉTAL, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ EN NITRURE DE SILICIUM ET BOÎTIER SEMI-CONDUCTEUR

    Beteiligte:

    TSUGAWA YUTA (Autor:in) / KOBASHI SEIJI (Autor:in) / NISHIMURA KOJI (Autor:in)

    Erscheinungsdatum:

    21.02.2024

    Medientyp:

    Patent

    Format:

    Elektronische Ressource

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    IPC:  H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / C04B Kalk , LIME / G01N Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften , INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES

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