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    Provided is a silicon nitride substrate which comprises silicon nitride and magnesium, wherein when the surface of the silicon nitride substrate is analyzed with an X-ray fluorescence analyzer under a specific condition I, XB/XA is 0.8 to 1.0.

    L'invention concerne un substrat de nitrure de silicium qui comprend du nitrure de silicium et du magnésium, dans lequel, lorsque la surface du substrat de nitrure de silicium est analysée avec un analyseur par fluorescence X sous une condition spécifique I, XB/XA est compris entre 0,8 et 1,0.

    窒化珪素とマグネシウムを含有する窒化珪素基板であって、窒化珪素基板の表面を、特定の条件Ｉで、蛍光Ｘ線分析装置で分析した際、ＸＢ／ＸＡが０．８以上、１．０以下である、窒化珪素基板が提供される。

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    Titel:

    SILICON NITRIDE SUBSTRATE, SILICON NITRIDE-METAL COMPLEX, SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE

    Weitere Titelangaben:

    SUBSTRAT DE NITRURE DE SILICIUM, COMPLEXE NITRURE DE SILICIUM-MÉTAL, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ EN NITRURE DE SILICIUM ET BOÎTIER SEMI-CONDUCTEUR
    窒化珪素基板、窒化珪素－金属複合体、窒化珪素回路基板、及び、半導体パッケージ

    Beteiligte:

    TSUGAWA YUTA (Autor:in) / KOBASHI SEIJI (Autor:in) / NISHIMURA KOJI (Autor:in)

    Erscheinungsdatum:

    08.10.2020

    Medientyp:

    Patent

    Format:

    Elektronische Ressource

    Sprache:

    Japanisch

    Klassifikation:

    IPC:  H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / C04B Kalk , LIME / G01N Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften , INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES

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