Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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METHOD FOR PRODUCING SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT, AND SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a silica film-fitted silicon carbide raw material capable of obtaining a silicon carbide sintered compact by reducing the occupation ratio of free carbon after sintering, a silica film-fitted silicon carbide raw material, a method for producing a silicon carbide sintered carbide, and a silicon carbide sintered compact.SOLUTION: Silicon carbide powder Pp in which the occupation ratio of free carbon is 1 wt.% or lower is heat-treated in the range of 750 to 950°C, so that a silica film F is formed on the surface of the powder.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】焼結後のフリーカーボンの占める割合を減らして密度の高い炭化ケイ素焼結体を得ることを可能にするシリカ膜付き炭化ケイ素原料の製造方法、シリカ膜付き炭化ケイ素原料、炭化ケイ素焼結体の製造方法、および、炭化ケイ素焼結体を提供することを課題とする。【解決手段】フリーカーボンの占める割合が１ｗｔ％以下である炭化ケイ素紛体Ｐｐを、７５０〜９５０℃の範囲で熱処理することで紛体表面にシリカ膜Ｆを形成する。【選択図】図１
METHOD FOR PRODUCING SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT, AND SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a silica film-fitted silicon carbide raw material capable of obtaining a silicon carbide sintered compact by reducing the occupation ratio of free carbon after sintering, a silica film-fitted silicon carbide raw material, a method for producing a silicon carbide sintered carbide, and a silicon carbide sintered compact.SOLUTION: Silicon carbide powder Pp in which the occupation ratio of free carbon is 1 wt.% or lower is heat-treated in the range of 750 to 950°C, so that a silica film F is formed on the surface of the powder.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】焼結後のフリーカーボンの占める割合を減らして密度の高い炭化ケイ素焼結体を得ることを可能にするシリカ膜付き炭化ケイ素原料の製造方法、シリカ膜付き炭化ケイ素原料、炭化ケイ素焼結体の製造方法、および、炭化ケイ素焼結体を提供することを課題とする。【解決手段】フリーカーボンの占める割合が１ｗｔ％以下である炭化ケイ素紛体Ｐｐを、７５０〜９５０℃の範囲で熱処理することで紛体表面にシリカ膜Ｆを形成する。【選択図】図１
METHOD FOR PRODUCING SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT, AND SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT
シリカ膜付き炭化ケイ素原料の製造方法、シリカ膜付き炭化ケイ素原料、炭化ケイ素焼結体の製造方法、および、炭化ケイ素焼結体
ODAKA FUMIO (Autor:in)
21.07.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| Europäisches Patentamt | 2024
METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT
| Europäisches Patentamt | 2015
| Europäisches Patentamt | 2015
SINTERED COMPACT OF SILICON CARBIDE AND PRODUCING METHOD THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2015