OXIDE SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD OF OXIDE SPUTTERING TARGET: Fid-Bau Portal

OXIDE SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD OF OXIDE SPUTTERING TARGET

NONAKA SOHEI / MORI RIE / NAGAO MASAYOSHI

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target capable of suppressing generation of an abnormal discharge and scattering a particle during sputtering, and a manufacturing method of this oxide sputtering target.SOLUTION: A sputtering target consists of an oxide including zirconium, silicon, and indium as a metal component. A ratio of a difference of a maximum oxygen concentration and a minimum oxygen concentration on a target surface to a total of the maximum oxygen concentration and the minimum oxygen concentration is 15% or less. In addition, a ratio of a difference of a maximum resistivity and a minimum resistivity on the target surface to a total of the maximum resistivity and the minimum resistivity is preferably 15% or less.SELECTED DRAWING: Figure 2

【課題】スパッタリング中の異常放電の発生並びにパーティクルの飛散を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット、及び、この酸化物スパッタリングターゲットの製造方法の提供。【解決手段】金属成分として、ジルコニウム、ケイ素およびインジウムを含有した酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットであって、ターゲット面内の酸素濃度の最大値と最小値の合計に対する前記酸素濃度の最大値と最小値の差の比率が１５％以下である酸化物スパッタリングターゲット。亦、ターゲット面内の比抵抗の最大値と最小値の合計に対する前記比抵抗の最大値と最小値の差の比率が１５％以下であることが、好ましい、酸化物スパッタリングターゲット。【選択図】図２

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