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OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an oxide semiconductor thin film, capable of reducing only carrier concentration while maintaining high carrier mobility.SOLUTION: The method for manufacturing an oxide semiconductor thin film comprises: a film formation step of depositing an oxide thin film on the surface of a substrate by a sputtering method using a target consisting of an oxide sintered body including indium and gallium as an oxide in an atmosphere having the partial pressure of water of more than 2.0×10Pa or more and 5.0×10Pa or less in the system and having a gallium content of 0.15 or more and 0.55 or less by a Ga/(In+Ga) atomic ratio; and a heating step of heating the oxide thin film formed on the surface of the substrate in an atmosphere having a relative humidity of 5% or more and oxygen concentration of 30% or more measured at a temperature of 22°C in the system. The oxide semiconductor thin film after the heating step includes the indium and gallium as an oxide and is morphous or microcrystals including hydrogen.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】高いキャリア移動度を維持したまま、キャリア濃度のみを低減せしめた酸化物半導体薄膜の製造方法を提供すること。【解決手段】系内の水分圧が２．０×１０−３Ｐａ以上５．０×１０−１Ｐａ以下の雰囲気にて、インジウム及びガリウムを酸化物として含有し、前記ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．１５以上０．５５以下である酸化物焼結体からなるターゲットを用いて基板の表面にスパッタリング法によって酸化物薄膜を成膜する成膜工程と、系内の温度２２℃で測定した相対湿度が５％以上かつ酸素濃度が３０％以上とした雰囲気にて、基板の表面に形成された酸化物薄膜を熱処理する熱処理工程と、を含む、酸化物半導体薄膜の製造方法であって、熱処理工程後の酸化物半導体薄膜がインジウム及びガリウムを酸化物として含有し、さらに水素を含有する非晶質又は微結晶の酸化物半導体薄膜の製造方法である。【選択図】図１
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an oxide semiconductor thin film, capable of reducing only carrier concentration while maintaining high carrier mobility.SOLUTION: The method for manufacturing an oxide semiconductor thin film comprises: a film formation step of depositing an oxide thin film on the surface of a substrate by a sputtering method using a target consisting of an oxide sintered body including indium and gallium as an oxide in an atmosphere having the partial pressure of water of more than 2.0×10Pa or more and 5.0×10Pa or less in the system and having a gallium content of 0.15 or more and 0.55 or less by a Ga/(In+Ga) atomic ratio; and a heating step of heating the oxide thin film formed on the surface of the substrate in an atmosphere having a relative humidity of 5% or more and oxygen concentration of 30% or more measured at a temperature of 22°C in the system. The oxide semiconductor thin film after the heating step includes the indium and gallium as an oxide and is morphous or microcrystals including hydrogen.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】高いキャリア移動度を維持したまま、キャリア濃度のみを低減せしめた酸化物半導体薄膜の製造方法を提供すること。【解決手段】系内の水分圧が２．０×１０−３Ｐａ以上５．０×１０−１Ｐａ以下の雰囲気にて、インジウム及びガリウムを酸化物として含有し、前記ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．１５以上０．５５以下である酸化物焼結体からなるターゲットを用いて基板の表面にスパッタリング法によって酸化物薄膜を成膜する成膜工程と、系内の温度２２℃で測定した相対湿度が５％以上かつ酸素濃度が３０％以上とした雰囲気にて、基板の表面に形成された酸化物薄膜を熱処理する熱処理工程と、を含む、酸化物半導体薄膜の製造方法であって、熱処理工程後の酸化物半導体薄膜がインジウム及びガリウムを酸化物として含有し、さらに水素を含有する非晶質又は微結晶の酸化物半導体薄膜の製造方法である。【選択図】図１
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
酸化物半導体薄膜及び薄膜トランジスタの製造方法
NAKAYAMA NORIYUKI (Autor:in) / SHIRAKI MANA (Autor:in) / MATSUMURA FUMIHIKO (Autor:in)
30.08.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2016
| Europäisches Patentamt | 2018
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