Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
Provided is an oxide semiconductor thin film of a thin film transistor, which has excellent wet etching resistance, specifically an oxide semiconductor thin film which is suppressed in film thinning even if immersed in an inorganic acid type or hydrogen peroxide type acid-based etching liquid when a source/drain electrode formed on the oxide semiconductor thin film is subjected to patterning, thereby being suppressed in surface roughening. This oxide semiconductor thin film is used for the semiconductor layer of a thin film transistor, and is characterized in that: the oxide semiconductor thin film is formed of an oxide that is configured of O and metal elements, namely In, Ga and Sn; the atomic ratios of In, Ga and Sn satisfy 0.30 ≤ In/(In + Ga + Sn) ≤ 0.50, 0.20 ≤ Ga/(In + Ga + Sn) ≤ 0.30 and 0.25 ≤ Sn/(In + Ga + Sn) ≤ 0.45, respectively; and the atomic ratio of Sn to In, namely Sn/In is 0.50 or more.
La présente invention concerne un film mince semi-conducteur oxyde, d'un transistor en couches minces, qui présente une excellente résistance à la gravure en voie humide, plus précisément un film mince semi-conducteur oxyde qui est supprimé dans l'amincissement du film, même lorsqu'il est immergé dans un liquide de gravure à base d'acide de type peroxyde d'hydrogène ou de type acide inorganique lorsqu'une électrode de source/déversoir formée sur le film mince semi-conducteur oxyde est soumise à la formation de motifs, étant ainsi supprimé en termes de rugosité de surface. Ce film mince semi-conducteur oxyde est utilisé pour la couche semi-conductrice d'un transistor en couches minces et est caractérisé en ce que : le film mince semi-conducteur oxyde est formé d'un oxyde qui est configuré de O et d'éléments métalliques, à savoir In, Ga et Sn ; les rapports atomiques d'In, Ga et Sn satisfaisant 0,30 ≤ In/ (In + Ga + Sn) ≤ 0,50, 0,20 ≤ Ga/(In + Ga + Sn) ≤ 0,30 et 0,25 ≤ Sn/ (In + Ga + Sn) ≤ 0,45, respectivement ; le rapport atomique de Sn sur In, à savoir Sn/In est d'au moins 0,50.
薄膜トランジスタの酸化物半導体薄膜であって、優れたウェットエッチング耐性、具体的には、上記酸化物半導体薄膜の上に形成されるソース・ドレイン電極のパターニング時に、無機酸系や過酸化水素系の酸系エッチング液に浸漬させても、膜減りが抑えられ、表面荒れの抑えられた酸化物半導体薄膜を提供する。該酸化物半導体薄膜は、薄膜トランジスタの、前記半導体層に用いられる酸化物半導体薄膜であって、金属元素としてＩｎ、ＧａおよびＳｎと；Ｏと；で構成される酸化物からなり、該Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎの各原子数比がそれぞれ、０．３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５０、０．２０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．３０、０．２５≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４５を満たし、かつ前記ＳｎとＩｎの原子数比であるＳｎ／Ｉｎが０．５０以上であるところに特徴を有する。
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
Provided is an oxide semiconductor thin film of a thin film transistor, which has excellent wet etching resistance, specifically an oxide semiconductor thin film which is suppressed in film thinning even if immersed in an inorganic acid type or hydrogen peroxide type acid-based etching liquid when a source/drain electrode formed on the oxide semiconductor thin film is subjected to patterning, thereby being suppressed in surface roughening. This oxide semiconductor thin film is used for the semiconductor layer of a thin film transistor, and is characterized in that: the oxide semiconductor thin film is formed of an oxide that is configured of O and metal elements, namely In, Ga and Sn; the atomic ratios of In, Ga and Sn satisfy 0.30 ≤ In/(In + Ga + Sn) ≤ 0.50, 0.20 ≤ Ga/(In + Ga + Sn) ≤ 0.30 and 0.25 ≤ Sn/(In + Ga + Sn) ≤ 0.45, respectively; and the atomic ratio of Sn to In, namely Sn/In is 0.50 or more.
La présente invention concerne un film mince semi-conducteur oxyde, d'un transistor en couches minces, qui présente une excellente résistance à la gravure en voie humide, plus précisément un film mince semi-conducteur oxyde qui est supprimé dans l'amincissement du film, même lorsqu'il est immergé dans un liquide de gravure à base d'acide de type peroxyde d'hydrogène ou de type acide inorganique lorsqu'une électrode de source/déversoir formée sur le film mince semi-conducteur oxyde est soumise à la formation de motifs, étant ainsi supprimé en termes de rugosité de surface. Ce film mince semi-conducteur oxyde est utilisé pour la couche semi-conductrice d'un transistor en couches minces et est caractérisé en ce que : le film mince semi-conducteur oxyde est formé d'un oxyde qui est configuré de O et d'éléments métalliques, à savoir In, Ga et Sn ; les rapports atomiques d'In, Ga et Sn satisfaisant 0,30 ≤ In/ (In + Ga + Sn) ≤ 0,50, 0,20 ≤ Ga/(In + Ga + Sn) ≤ 0,30 et 0,25 ≤ Sn/ (In + Ga + Sn) ≤ 0,45, respectivement ; le rapport atomique de Sn sur In, à savoir Sn/In est d'au moins 0,50.
薄膜トランジスタの酸化物半導体薄膜であって、優れたウェットエッチング耐性、具体的には、上記酸化物半導体薄膜の上に形成されるソース・ドレイン電極のパターニング時に、無機酸系や過酸化水素系の酸系エッチング液に浸漬させても、膜減りが抑えられ、表面荒れの抑えられた酸化物半導体薄膜を提供する。該酸化物半導体薄膜は、薄膜トランジスタの、前記半導体層に用いられる酸化物半導体薄膜であって、金属元素としてＩｎ、ＧａおよびＳｎと；Ｏと；で構成される酸化物からなり、該Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎの各原子数比がそれぞれ、０．３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５０、０．２０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．３０、０．２５≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４５を満たし、かつ前記ＳｎとＩｎの原子数比であるＳｎ／Ｉｎが０．５０以上であるところに特徴を有する。
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR OXYDE DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
薄膜トランジスタの酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、およびスパッタリングターゲット
OCHI MOTOTAKA (Autor:in) / MORITA SHINYA (Autor:in) / MIKI AYA (Autor:in) / GOTO HIROSHI (Autor:in)
10.03.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2016
Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor
| Europäisches Patentamt | 2015
| Europäisches Patentamt | 2018
SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR
| Europäisches Patentamt | 2019