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MANUFACTURING METHOD OF SCANDIUM ALUMINIUM NITRIDE POWDER, MANUFACTURING METHOD OF TARGET, AND TARGET
To provide a manufacturing method of a scandium aluminum nitride powder used for manufacturing a target suitable for depositing a scandium aluminum nitride film by a sputtering method, a manufacturing method of a target, and the target.SOLUTION: A manufacturing method of a scandium aluminum nitride powder used for manufacturing a sputtering target according to the invention includes the steps of: mixing scandium and aluminum at an element ratio of 10 - 70at%:90 - 30at% and melting them to obtain an alloy of scandium and aluminum (step S1); crushing the alloy obtained by melting to a powder state (step S2); and heating the alloy crushed to a temperature or more which starts at least either of a heat change or a weigh change in an atmosphere containing nitrogen to nitride the alloy (step S3).SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】スパッタリング法によりスカンジウムアルミニウム窒化物膜を成膜するのに好適なターゲットの製造に用いられるスカンジウムアルミニウム窒化物粉末の製造方法、ターゲットの製造方法及びターゲットを提供する。【解決手段】スパッタリングターゲットの製造に用いられる本発明のスカンジウムアルミニウム窒化物粉末の製造方法は、スカンジウムとアルミニウムとを１０〜７０ａｔ％：９０〜３０ａｔ％の元素比で混合して溶融させ、スカンジウムとアルミニウムとの合金を得る工程（ステップＳ１）と、前記溶融により得られた合金を粉末状に粉砕する工程（ステップＳ２）と、前記粉砕された合金を窒素含有雰囲気中で、熱変化及び重量変化の少なくとも一方を開始する温度以上に加熱して合金を窒化する工程（ステップＳ３）と、を含む。【選択図】図１
MANUFACTURING METHOD OF SCANDIUM ALUMINIUM NITRIDE POWDER, MANUFACTURING METHOD OF TARGET, AND TARGET
To provide a manufacturing method of a scandium aluminum nitride powder used for manufacturing a target suitable for depositing a scandium aluminum nitride film by a sputtering method, a manufacturing method of a target, and the target.SOLUTION: A manufacturing method of a scandium aluminum nitride powder used for manufacturing a sputtering target according to the invention includes the steps of: mixing scandium and aluminum at an element ratio of 10 - 70at%:90 - 30at% and melting them to obtain an alloy of scandium and aluminum (step S1); crushing the alloy obtained by melting to a powder state (step S2); and heating the alloy crushed to a temperature or more which starts at least either of a heat change or a weigh change in an atmosphere containing nitrogen to nitride the alloy (step S3).SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】スパッタリング法によりスカンジウムアルミニウム窒化物膜を成膜するのに好適なターゲットの製造に用いられるスカンジウムアルミニウム窒化物粉末の製造方法、ターゲットの製造方法及びターゲットを提供する。【解決手段】スパッタリングターゲットの製造に用いられる本発明のスカンジウムアルミニウム窒化物粉末の製造方法は、スカンジウムとアルミニウムとを１０〜７０ａｔ％：９０〜３０ａｔ％の元素比で混合して溶融させ、スカンジウムとアルミニウムとの合金を得る工程（ステップＳ１）と、前記溶融により得られた合金を粉末状に粉砕する工程（ステップＳ２）と、前記粉砕された合金を窒素含有雰囲気中で、熱変化及び重量変化の少なくとも一方を開始する温度以上に加熱して合金を窒化する工程（ステップＳ３）と、を含む。【選択図】図１
MANUFACTURING METHOD OF SCANDIUM ALUMINIUM NITRIDE POWDER, MANUFACTURING METHOD OF TARGET, AND TARGET
スカンジウムアルミニウム窒化物粉末の製造方法、ターゲットの製造方法及びターゲット
NAKAMURA RYOTA (Autor:in) / MATSUMOTO KOICHI (Autor:in) / TAKAHASHI KAZUHISA (Autor:in)
12.08.2021
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
METHOD OF MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE TARGET FOR PLD
| Europäisches Patentamt | 2022
Aluminum-scandium nitride target material and preparation method thereof
| Europäisches Patentamt | 2021
Method for producing scandium-aluminum nitride target for PLD
| Europäisches Patentamt | 2022
METHOD FOR PRODUCING A SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE TARGET FOR PLD
| Europäisches Patentamt | 2023