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SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET

TODA TATSUYA / YOSHINO HARUHIKO / ISHIKAWA TAKUYA / KANDA KOICHI / KAMIYAMA TOSHIHISA

To provide a sputtering target that can more stably deposit a film of a ZnGaO-based material.SOLUTION: A sputtering target includes a sintered compact including a ZnGaO-based oxide having a specific resistance of 10 Ωcm or less. In the sintered compact, Zn/(Zn+Ga) is 40 atm% or more and less than 50 atm%.SELECTED DRAWING: None

【課題】本発明では、ＺｎＧａＯ系材料の成膜をより安定に行い得る、スパッタリング用のターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】スパッタリング用のターゲットであって、比抵抗が１０Ωｃｍ以下であり、ＺｎＧａＯ系の酸化物を含む焼結体を有し、前記焼結体において、Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｇａ）は、４０ａｔｍ％以上、５０ａｔｍ％未満である、ターゲット。【選択図】なし

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To provide a sputtering target that can more stably deposit a film of a ZnGaO-based material.SOLUTION: A sputtering target includes a sintered compact including a ZnGaO-based oxide having a specific resistance of 10 Ωcm or less. In the sintered compact, Zn/(Zn+Ga) is 40 atm% or more and less than 50 atm%.SELECTED DRAWING: None

【課題】本発明では、ＺｎＧａＯ系材料の成膜をより安定に行い得る、スパッタリング用のターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】スパッタリング用のターゲットであって、比抵抗が１０Ωｃｍ以下であり、ＺｎＧａＯ系の酸化物を含む焼結体を有し、前記焼結体において、Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｇａ）は、４０ａｔｍ％以上、５０ａｔｍ％未満である、ターゲット。【選択図】なし

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TODA TATSUYA / YOSHINO HARUHIKO / ISHIKAWA TAKUYA / KANDA KOICHI / KAMIYAMA TOSHIHISA

To provide a sputtering target that can more stably deposit a film of a ZnGaO-based material.SOLUTION: A sputtering target includes a sintered compact including a ZnGaO-based oxide having a specific resistance of 10 Ωcm or less. In the sintered compact, Zn/(Zn+Ga) is 40 atm% or more and less than 50 atm%.SELECTED DRAWING: None

【課題】本発明では、ＺｎＧａＯ系材料の成膜をより安定に行い得る、スパッタリング用のターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】スパッタリング用のターゲットであって、比抵抗が１０Ωｃｍ以下であり、ＺｎＧａＯ系の酸化物を含む焼結体を有し、前記焼結体において、Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｇａ）は、４０ａｔｍ％以上、５０ａｔｍ％未満である、ターゲット。【選択図】なし

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SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET

Weitere Titelangaben:

スパッタリング用のターゲットおよびスパッタリング用のターゲットの製造方法

Beteiligte:

TODA TATSUYA (Autor:in) / YOSHINO HARUHIKO (Autor:in) / ISHIKAWA TAKUYA (Autor:in) / KANDA KOICHI (Autor:in) / KAMIYAMA TOSHIHISA (Autor:in)

Erscheinungsdatum:

09.08.2023

Medientyp:

Patent

Format:

Elektronische Ressource

Sprache:

Japanisch

Klassifikation:

IPC: C23C Beschichten metallischer Werkstoffe , COATING METALLIC MATERIAL / C04B Kalk , LIME

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