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METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
To provide a method for manufacturing a silicon carbide sintered body which can manufacture a uniform sintered body.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon carbide sintered body applies a pulse current to a silicon carbide raw material 1 filling the inside of a sinter mold in a state in which the silicon carbide raw material is pressurized by a first punch 20 and a second punch 30 facing each other, and obtains a silicon carbide sintered body, wherein a highly thermal conductive substance 5 having thermal conductivity of 300 W/m K or more in a direction vertical to a pressurization direction is arranged between the first punch and the silicon carbide raw material when the pulse current is applied, and the highly thermal conductive substance is arranged astride an internal region having an area of 25% of the area of the silicon carbide raw material occupation region with a center of gravity of a silicon carbide raw material occupation region that is a region occupied by the silicon carbide raw material as a center and having a similar shape thereto, and its external region, when being viewed from the pressurization direction.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】均一な焼結体を製造することができる炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】焼結型の内部に充填した炭化ケイ素原料１を、互いに対向する第１パンチ２０及び第２パンチ３０によって加圧した状態で、炭化ケイ素原料にパルス電流を印加して炭化ケイ素焼結体を得る、炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、パルス電流を印加する際に、第１パンチと炭化ケイ素原料との間に、加圧方向に垂直な方向における熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性物質５が配置されており、高熱伝導性物質が、加圧方向から見た際に、炭化ケイ素原料が占める領域である炭化ケイ素原料占有領域の重心を中心として、上記炭化ケイ素原料占有領域の面積の２５％の面積を有しその形状と相似する形状となる内部領域と、その外部領域とに跨って配置されていることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。【選択図】図１
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
To provide a method for manufacturing a silicon carbide sintered body which can manufacture a uniform sintered body.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon carbide sintered body applies a pulse current to a silicon carbide raw material 1 filling the inside of a sinter mold in a state in which the silicon carbide raw material is pressurized by a first punch 20 and a second punch 30 facing each other, and obtains a silicon carbide sintered body, wherein a highly thermal conductive substance 5 having thermal conductivity of 300 W/m K or more in a direction vertical to a pressurization direction is arranged between the first punch and the silicon carbide raw material when the pulse current is applied, and the highly thermal conductive substance is arranged astride an internal region having an area of 25% of the area of the silicon carbide raw material occupation region with a center of gravity of a silicon carbide raw material occupation region that is a region occupied by the silicon carbide raw material as a center and having a similar shape thereto, and its external region, when being viewed from the pressurization direction.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】均一な焼結体を製造することができる炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】焼結型の内部に充填した炭化ケイ素原料１を、互いに対向する第１パンチ２０及び第２パンチ３０によって加圧した状態で、炭化ケイ素原料にパルス電流を印加して炭化ケイ素焼結体を得る、炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、パルス電流を印加する際に、第１パンチと炭化ケイ素原料との間に、加圧方向に垂直な方向における熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性物質５が配置されており、高熱伝導性物質が、加圧方向から見た際に、炭化ケイ素原料が占める領域である炭化ケイ素原料占有領域の重心を中心として、上記炭化ケイ素原料占有領域の面積の２５％の面積を有しその形状と相似する形状となる内部領域と、その外部領域とに跨って配置されていることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。【選択図】図１
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
炭化ケイ素焼結体の製造方法
HIGASHIMATSU NAOYA (Autor:in) / IMAI MASAHITO (Autor:in) / USHIDA TAKESHI (Autor:in) / KASUGA MASANOBU (Autor:in)
06.06.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| Europäisches Patentamt | 2016
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2024
MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2018
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
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