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METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
To provide a method for manufacturing a silicon carbide sintered body which can manufacture a uniform sintered body.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon carbide sintered body applies a pulse current to a silicon carbide raw material 1 filling the inside of a sinter mold in a state in which the silicon carbide raw material is pressurized by a first punch 20 and a second punch 30 facing each other, and obtains a silicon carbide sintered body, wherein a conductive substance 5 having electric resistivity in a direction vertical to a pressurization direction of 10-6 Ω m or less is arranged between the first punch and the silicon carbide raw material when the pulse current is applied, and the conductive substance is arranged astride an internal region having an area of 25% of the area of a silicon carbide raw material occupation region with a center of gravity of the silicon carbide raw material occupation region as a center and having a similar shape thereto, and its external region, when being viewed from the pressurization direction.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】均一な焼結体を製造することができる炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】焼結型の内部に充填した炭化ケイ素原料１を、互いに対向する第１パンチ２０及び第２パンチ３０によって加圧した状態で、炭化ケイ素原料にパルス電流を印加して炭化ケイ素焼結体を得る、炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、パルス電流を印加する際に、第１パンチと炭化ケイ素原料との間に、加圧方向に垂直な方向における電気抵抗率が１０－６Ω・ｍ以下の導電性物質５が配置されており、導電性物質が、加圧方向から見た際に、炭化ケイ素原料占有領域の重心を中心として、炭化ケイ素原料占有領域の面積の２５％の面積を有し炭化ケイ素原料占有領域の形状と相似する形状となる内部領域とその外部領域とに跨って配置されていることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。【選択図】図１
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
To provide a method for manufacturing a silicon carbide sintered body which can manufacture a uniform sintered body.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon carbide sintered body applies a pulse current to a silicon carbide raw material 1 filling the inside of a sinter mold in a state in which the silicon carbide raw material is pressurized by a first punch 20 and a second punch 30 facing each other, and obtains a silicon carbide sintered body, wherein a conductive substance 5 having electric resistivity in a direction vertical to a pressurization direction of 10-6 Ω m or less is arranged between the first punch and the silicon carbide raw material when the pulse current is applied, and the conductive substance is arranged astride an internal region having an area of 25% of the area of a silicon carbide raw material occupation region with a center of gravity of the silicon carbide raw material occupation region as a center and having a similar shape thereto, and its external region, when being viewed from the pressurization direction.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】均一な焼結体を製造することができる炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】焼結型の内部に充填した炭化ケイ素原料１を、互いに対向する第１パンチ２０及び第２パンチ３０によって加圧した状態で、炭化ケイ素原料にパルス電流を印加して炭化ケイ素焼結体を得る、炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、パルス電流を印加する際に、第１パンチと炭化ケイ素原料との間に、加圧方向に垂直な方向における電気抵抗率が１０－６Ω・ｍ以下の導電性物質５が配置されており、導電性物質が、加圧方向から見た際に、炭化ケイ素原料占有領域の重心を中心として、炭化ケイ素原料占有領域の面積の２５％の面積を有し炭化ケイ素原料占有領域の形状と相似する形状となる内部領域とその外部領域とに跨って配置されていることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。【選択図】図１
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
炭化ケイ素焼結体の製造方法
HIGASHIMATSU NAOYA (Autor:in) / IMAI MASAHITO (Autor:in) / USHIDA TAKESHI (Autor:in) / KASUGA MASANOBU (Autor:in)
06.06.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| Europäisches Patentamt | 2016
MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2018
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2024
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2024