ZINC OXIDE-BASED SINTERED COMPACT ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET CONSISTING OF THIS SINTERED COMPACT AND ZINC OXIDE-BASED THIN FILM OBTAINED BY SPUTTERING THIS TARGET: Fid-Bau Portal

ZINC OXIDE-BASED SINTERED COMPACT ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET CONSISTING OF THIS SINTERED COMPACT AND ZINC OXIDE-BASED THIN FILM OBTAINED BY SPUTTERING THIS TARGET

Abstract

산화아연 (ZnO) 을 주성분으로 하고, 산화아연에 대해 n 형 도펀트가 되는 갈륨 (Ga) 또는 알루미늄 (Al) 또는 붕소 (B) 를 함유함과 함께, 카본을 10 ∼ 300 wtppm 함유하고, 또한, 코발트 (Co), 니켈 (Ni), 철 (Fe), 구리 (Cu), 몰리브덴 (Mo), 루테늄 (Ru), 로듐 (Rh), 텅스텐 (W), 이리듐 (Ir), 금 (Au) 에서 선택한 금속 원소 M 의 1 종 이상을 함유하고, 금속 M 은 적어도 일부 혹은 전부 금속으로서 소결체 중에 잔류하고, 산화아연계 소결체를 구성하는 아연과 n 형 도펀트와 전체 금속 원소에 대한 금속 M 의 농도를 0.05 ∼ 25.0 원자％ 로 조정한 산화아연계 소결체, 그 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 스퍼터링함으로써 얻어지는 박막을 제공한다.

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Weitere Titelangaben:

산화아연계 소결체, 그 소결체로 이루어지는 산화아연계 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 스퍼터링하여 얻어진 산화아연계 박막

Erscheinungsdatum:

31.05.2016

Medientyp:

Patent

Format:

Elektronische Ressource

Sprache:

Koreanisch

Klassifikation:

IPC: C04B Kalk , LIME / C22C Legierungen , ALLOYS / C23C Beschichten metallischer Werkstoffe , COATING METALLIC MATERIAL