Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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CERAMIC COPPER CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING SAME
본 실시 형태의 세라믹 구리 회로 기판(1)은, 세라믹 기판(2)과, 활성 금속 원소를 포함하는 접합층을 개재하여 세라믹 기판(2)의 양면에 접합된 제1 및 제2 동판을 구비한다. 제1 및 제2 동판의 단부의 단면에 있어서, 동판과 세라믹 기판의 접합 단부로부터 동판의 상면 내측 방향을 향하여 계면과 45°가 되는 방향으로 그은 직선 AB로부터 동판의 외측 방향을 향하여 돌출되어 나오는 단면의 면적 C의, 직선 AB를 빗변으로 하는 직각삼각형에 상당하는 단면의 면적 D에 대한 비율(C/D)이 0.2 이상 0.6 이하의 범위이다. 제1 및 제2 동판의 상면 단부에는 각각 R부가 형성되어 있고, 또한 R부의 제1 및 제2 동판의 상방으로부터 본 길이 F가 100㎛ 이하이다.
A ceramic/copper circuit board of an embodiment includes a ceramic substrate and first and second copper plates bonded to surfaces of the ceramic substrate via bonding layers containing active metal elements. In cross sections of end portions of the first and second copper plates, a ratio (C/D) of an area C in relation to an area D is from 0.2 to 0.6. The area C is a cross section area of a portion protruded toward an outer side direction of the copper plate from a line AB, and the area D is a cross section area of a portion corresponding to a right-angled triangle whose hypotenuse is the line AB. R-shape sections are provided at edges of upper surfaces of the first and second copper plates, and lengths F of the R-shape sections are 100 μm or less.
CERAMIC COPPER CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING SAME
본 실시 형태의 세라믹 구리 회로 기판(1)은, 세라믹 기판(2)과, 활성 금속 원소를 포함하는 접합층을 개재하여 세라믹 기판(2)의 양면에 접합된 제1 및 제2 동판을 구비한다. 제1 및 제2 동판의 단부의 단면에 있어서, 동판과 세라믹 기판의 접합 단부로부터 동판의 상면 내측 방향을 향하여 계면과 45°가 되는 방향으로 그은 직선 AB로부터 동판의 외측 방향을 향하여 돌출되어 나오는 단면의 면적 C의, 직선 AB를 빗변으로 하는 직각삼각형에 상당하는 단면의 면적 D에 대한 비율(C/D)이 0.2 이상 0.6 이하의 범위이다. 제1 및 제2 동판의 상면 단부에는 각각 R부가 형성되어 있고, 또한 R부의 제1 및 제2 동판의 상방으로부터 본 길이 F가 100㎛ 이하이다.
A ceramic/copper circuit board of an embodiment includes a ceramic substrate and first and second copper plates bonded to surfaces of the ceramic substrate via bonding layers containing active metal elements. In cross sections of end portions of the first and second copper plates, a ratio (C/D) of an area C in relation to an area D is from 0.2 to 0.6. The area C is a cross section area of a portion protruded toward an outer side direction of the copper plate from a line AB, and the area D is a cross section area of a portion corresponding to a right-angled triangle whose hypotenuse is the line AB. R-shape sections are provided at edges of upper surfaces of the first and second copper plates, and lengths F of the R-shape sections are 100 μm or less.
CERAMIC COPPER CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING SAME
세라믹 구리 회로 기판과 그것을 사용한 반도체 장치
22.09.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
CERAMIC COPPER CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
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Ceramic/copper circuit board and semiconductor device
| Europäisches Patentamt | 2016
JOINED BODY, CERAMIC-COPPER CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2022
JOINED BODY, CERAMIC-COPPER CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2024
BONDED BODY, CERAMIC-COPPER CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2023