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Method of fabricating silicon carbide sintered body by reaction sintering
Provided is a method of fabricating a silicon carbide sintered body by reaction-sintering, which can improve the permeating efficiency of melted Si when heat-processing through reaction-sintering, and improve the processing efficiency of a sintered body by minimizing surplus Si. The method of fabricating a silicon carbide sintered body by reaction-sintering fabricates the silicon carbide sintered body by reaction-sintering through preparing a carbide body containing SiC powder and carbon, and permeating melted Si into the carbide body. The method additionally comprises a step of forming a non-wetting coating layer containing materials where the melted Si is not wetted on at least one of a partial surface of the carbide body and the surface of a sub-material being used for the permeation of the melted Si.
반응소결 열처리시 용융 Si의 침윤 효율을 향상시키고 잉여 Si의 최소화를 통하여 소결체의 가공 효율성을 향상시킬 수 있는 반응소결 탄화규소 소결체 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반응소결 탄화규소 소결체 제조방법은, SiC 분말과 카본을 포함하는 탄화체를 제조한 후, 용융 Si을 상기 탄화체에 침윤시켜 반응소결 탄화규소 소결체를 제조하는 방법에 있어서, 상기 탄화체의 적어도 일부의 표면 및 상기 용융 Si의 침윤시 사용하는 부자재 표면 중 적어도 어느 하나에 용융 Si이 웨팅(wetting)되지 않는 재료를 포함하는 넌-웨팅(non-wetting) 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
Method of fabricating silicon carbide sintered body by reaction sintering
Provided is a method of fabricating a silicon carbide sintered body by reaction-sintering, which can improve the permeating efficiency of melted Si when heat-processing through reaction-sintering, and improve the processing efficiency of a sintered body by minimizing surplus Si. The method of fabricating a silicon carbide sintered body by reaction-sintering fabricates the silicon carbide sintered body by reaction-sintering through preparing a carbide body containing SiC powder and carbon, and permeating melted Si into the carbide body. The method additionally comprises a step of forming a non-wetting coating layer containing materials where the melted Si is not wetted on at least one of a partial surface of the carbide body and the surface of a sub-material being used for the permeation of the melted Si.
반응소결 열처리시 용융 Si의 침윤 효율을 향상시키고 잉여 Si의 최소화를 통하여 소결체의 가공 효율성을 향상시킬 수 있는 반응소결 탄화규소 소결체 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반응소결 탄화규소 소결체 제조방법은, SiC 분말과 카본을 포함하는 탄화체를 제조한 후, 용융 Si을 상기 탄화체에 침윤시켜 반응소결 탄화규소 소결체를 제조하는 방법에 있어서, 상기 탄화체의 적어도 일부의 표면 및 상기 용융 Si의 침윤시 사용하는 부자재 표면 중 적어도 어느 하나에 용융 Si이 웨팅(wetting)되지 않는 재료를 포함하는 넌-웨팅(non-wetting) 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
Method of fabricating silicon carbide sintered body by reaction sintering
반응소결 탄화규소 소결체 제조방법
KIM YOUNG SEOK (Autor:in) / YOON BOK KYU (Autor:in) / SHIN HYUN ICK (Autor:in)
04.08.2017
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Europäisches Patentamt | 2016
|Europäisches Patentamt | 2018
|Europäisches Patentamt | 2017
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