Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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DENSE COMPOSITE MATERIAL METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION EQUIPMENT
본 발명은 알루미나와의 선열팽창 계수차가 매우 작고, 열전도율, 치밀성 및 강도가 충분히 높은 복합 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 치밀질 복합 재료는, 탄화규소 입자를 37 질량％∼60 질량％ 함유하며, 규화티탄, 티탄실리콘카바이드 및 탄화티탄을 각각 상기 탄화규소 입자의 질량％보다 소량 함유하고, 개기공률이 1％ 이하인 것이다. 이러한 치밀질 복합 재료의 특성은, 예컨대, 40℃∼570℃의 평균 선열팽창 계수가 7.2 ppm/K∼8.2 ppm/K, 열전도율이 75 W/mK 이상, 4점 굽힘 강도가 200 ㎫ 이상이다.
A member for a semiconductor manufacturing apparatus includes an alumina electrostatic chuck, a cooling plate, and a cooling plate-chuck bonding layer. The cooling plate includes first to third substrates, a first metal bonding layer between the first and second substrates, a second metal bonding layer between the second and third substrates, and a refrigerant path. The first to third substrates are formed of a dense composite material containing Si, SiC, and Ti. The metal bonding layers are formed by thermal compression bonding of the substrates with an Al—Si—Mg or Al—Mg metal bonding material interposed between the first and second substrates and between the second and third substrates.
DENSE COMPOSITE MATERIAL METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION EQUIPMENT
본 발명은 알루미나와의 선열팽창 계수차가 매우 작고, 열전도율, 치밀성 및 강도가 충분히 높은 복합 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 치밀질 복합 재료는, 탄화규소 입자를 37 질량％∼60 질량％ 함유하며, 규화티탄, 티탄실리콘카바이드 및 탄화티탄을 각각 상기 탄화규소 입자의 질량％보다 소량 함유하고, 개기공률이 1％ 이하인 것이다. 이러한 치밀질 복합 재료의 특성은, 예컨대, 40℃∼570℃의 평균 선열팽창 계수가 7.2 ppm/K∼8.2 ppm/K, 열전도율이 75 W/mK 이상, 4점 굽힘 강도가 200 ㎫ 이상이다.
A member for a semiconductor manufacturing apparatus includes an alumina electrostatic chuck, a cooling plate, and a cooling plate-chuck bonding layer. The cooling plate includes first to third substrates, a first metal bonding layer between the first and second substrates, a second metal bonding layer between the second and third substrates, and a refrigerant path. The first to third substrates are formed of a dense composite material containing Si, SiC, and Ti. The metal bonding layers are formed by thermal compression bonding of the substrates with an Al—Si—Mg or Al—Mg metal bonding material interposed between the first and second substrates and between the second and third substrates.
DENSE COMPOSITE MATERIAL METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION EQUIPMENT
치밀질 복합 재료, 그 제법 및 반도체 제조 장치용 부재
03.03.2020
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
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