Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SINTERED OXIDE AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
제막이나 소자 제조의 프로세스 최고 온도를 저온으로 억제한 제조 프로세스에 있어서도 충분히 낮은 저항률을 실현할 수 있는 산화물 소결체, 및 그것에 의해 얻어지는 산화물 투명 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다. 구성 원소로서, 인듐, 지르코늄, 이트륨, 하프늄 및 산소를 갖는 산화물 소결체로, 인듐, 지르코늄, 이트륨 및 하프늄을 각각 In, Zr, Y, Hf 로 했을 때, 원자비로 Zr/(In＋Zr＋Y＋Hf) 가 0.1 ∼ 3.0 at％ 이고, Y/(In＋Zr＋Y＋Hf) 가 0.005 ∼ 0.5 at％ 이며, Hf/(In＋Zr＋Y＋Hf) 가 0.0002 ∼ 0.15 at％ 인 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
SINTERED OXIDE AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
제막이나 소자 제조의 프로세스 최고 온도를 저온으로 억제한 제조 프로세스에 있어서도 충분히 낮은 저항률을 실현할 수 있는 산화물 소결체, 및 그것에 의해 얻어지는 산화물 투명 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다. 구성 원소로서, 인듐, 지르코늄, 이트륨, 하프늄 및 산소를 갖는 산화물 소결체로, 인듐, 지르코늄, 이트륨 및 하프늄을 각각 In, Zr, Y, Hf 로 했을 때, 원자비로 Zr/(In＋Zr＋Y＋Hf) 가 0.1 ∼ 3.0 at％ 이고, Y/(In＋Zr＋Y＋Hf) 가 0.005 ∼ 0.5 at％ 이며, Hf/(In＋Zr＋Y＋Hf) 가 0.0002 ∼ 0.15 at％ 인 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
SINTERED OXIDE AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
산화물 소결체 및 산화물 투명 도전막
KURAMOCHI HIDETO (Autor:in) / TAMANO KIMIAKI (Autor:in) / AKIIKE RYO (Autor:in)
22.11.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
OXIDE SINTERED BODY AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED COMPACT AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| Europäisches Patentamt | 2015
OXIDE SINTERED BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
| Europäisches Patentamt | 2021