Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SINTERED OXIDE AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
The purpose of the present invention is to provide a sintered oxide capable of achieving a sufficiently low resistivity even in manufacturing processes for film production and device fabrication in which the maximum temperature is kept low, and a transparent conductive oxide film obtained therefrom. A sintered oxide having indium, zirconium, yttrium, hafnium and oxygen as constituent elements. The sintered oxide is characterized in that when the indium, zirconium, yttrium and hafnium are represented as In, Zr, Y, Hf, respectively, in atomic ratios, Zr/(In+Zr+Y+Hf) is 0.1-3.0 at%, Y/(In+Zr+Y+Hf) is 0.005-0.5 at%, and Hf/(In+Zr+Y+Hf) is 0.0002-0.15 at%.
La présente invention a pour objet un oxyde fritté susceptible d'atteindre une résistivité suffisamment faible, même dans des procédés de fabrication permettant la production de film et la fabrication de dispositif dans lesquels la température maximale est maintenue à un faible niveau, et un film d'oxyde conducteur transparent obtenu à partir de ce dernier. À cet effet, l'invention porte sur un oxyde fritté comprenant de l'indium, du zirconium, de l'yttrium, de l'hafnium et de l'oxygène en tant qu'éléments constitutifs. L'oxyde fritté est caractérisé en ce que lorsque l'indium, le zirconium, l'yttrium et l'hafnium sont représentés par In, Zr, Y et Hf, respectivement, en termes de proportions atomiques, Zr/(In + Zr + Y + Hf) est de 0,1 à 3,0 % at., Y/(In + Zr + Y + Hf) est de 0,005 à 0,5 % at. et Hf/(In + Zr + Y + Hf) est de 0,0002 à 0,15 % at.
製膜や素子製造のプロセスの最高温度を低温に抑えた製造プロセスにおいても十分に低い抵抗率を実現することのできる酸化物焼結体、及びそれにより得られる酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。 構成元素として、インジウム、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム及び酸素を有する酸化物焼結体であり、インジウム、ジルコニウム、イットリウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｚｒ、Ｙ、Ｈｆとしたときに、原子比でＺｒ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．１～３．０ａｔ％であり、Ｙ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．００５～０．５ａｔ％であり、Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．０００２～０．１５ａｔ％であることを特徴とする酸化物焼結体。
SINTERED OXIDE AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
The purpose of the present invention is to provide a sintered oxide capable of achieving a sufficiently low resistivity even in manufacturing processes for film production and device fabrication in which the maximum temperature is kept low, and a transparent conductive oxide film obtained therefrom. A sintered oxide having indium, zirconium, yttrium, hafnium and oxygen as constituent elements. The sintered oxide is characterized in that when the indium, zirconium, yttrium and hafnium are represented as In, Zr, Y, Hf, respectively, in atomic ratios, Zr/(In+Zr+Y+Hf) is 0.1-3.0 at%, Y/(In+Zr+Y+Hf) is 0.005-0.5 at%, and Hf/(In+Zr+Y+Hf) is 0.0002-0.15 at%.
La présente invention a pour objet un oxyde fritté susceptible d'atteindre une résistivité suffisamment faible, même dans des procédés de fabrication permettant la production de film et la fabrication de dispositif dans lesquels la température maximale est maintenue à un faible niveau, et un film d'oxyde conducteur transparent obtenu à partir de ce dernier. À cet effet, l'invention porte sur un oxyde fritté comprenant de l'indium, du zirconium, de l'yttrium, de l'hafnium et de l'oxygène en tant qu'éléments constitutifs. L'oxyde fritté est caractérisé en ce que lorsque l'indium, le zirconium, l'yttrium et l'hafnium sont représentés par In, Zr, Y et Hf, respectivement, en termes de proportions atomiques, Zr/(In + Zr + Y + Hf) est de 0,1 à 3,0 % at., Y/(In + Zr + Y + Hf) est de 0,005 à 0,5 % at. et Hf/(In + Zr + Y + Hf) est de 0,0002 à 0,15 % at.
製膜や素子製造のプロセスの最高温度を低温に抑えた製造プロセスにおいても十分に低い抵抗率を実現することのできる酸化物焼結体、及びそれにより得られる酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。 構成元素として、インジウム、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム及び酸素を有する酸化物焼結体であり、インジウム、ジルコニウム、イットリウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｚｒ、Ｙ、Ｈｆとしたときに、原子比でＺｒ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．１～３．０ａｔ％であり、Ｙ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．００５～０．５ａｔ％であり、Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．０００２～０．１５ａｔ％であることを特徴とする酸化物焼結体。
SINTERED OXIDE AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
OXYDE FRITTÉ ET FILM D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT
酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
KURAMOCHI HIDETO (Autor:in) / TAMANO KIMIAKI (Autor:in) / AKIIKE RYO (Autor:in)
17.09.2015
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED BODY AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED COMPACT AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| Europäisches Patentamt | 2015
OXIDE SINTERED BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
| Europäisches Patentamt | 2021