[Problem] To provide an indium oxide-based sputtering target which can form, by a direct current sputtering method, an optical film which has a high refractive index and in which an extinction coefficient is low on the short wavelength side of the visible region. [Solution] A sputtering target is formed using an oxide sintered compact in which the total content of indium oxide, gallium oxide, cerium oxide, tin oxide and titanium oxide is 98.5 mol.% or higher, (a) the In/(In+Ga+Ce) atom number ratio is 0.30-0.54, (b) the Ga/(In+Ga+Ce) atom number ratio is 0.30-0.52, (c) the Ce/(In+Ga+Ce) atom number ratio is 0.16-0.32, (d) the Sn/(In+Ga+Ce+Sn+Ti) atom number ratio is 0.04 or lower and (e) the Ti/(In+Ga+Ce+Sn+Ti) atom number ratio is 0.01 or lower, and the L*a*b* color difference (ΔE*), as measured in the CIE 1976 space, is 5.0 or lower between the surface and the central position in the thickness direction of the sintered compact.

Le problème de l'invention concerne une cible de pulvérisation à base d'oxyde d'indium qui peut former, par un procédé de pulvérisation à courant continu, un film optique qui présente un indice de réfraction élevé et un coefficient d'extinction bas du côté des longueurs d'onde courtes de la région visible. La solution de l'invention porte sur une cible de pulvérisation formée à l'aide d'un comprimé fritté d'oxyde, dans lequel la teneur totale en oxyde d'indium, en oxyde de gallium, en oxyde de cérium, en oxyde d'étain et en oxyde de titane est de 98,5 % en moles ou plus, (a) le rapport des nombres d'atomes de In/ (In + Ga + Ce) vaut 0,30-0,54, (b) le rapport des nombres d'atomes de Ga/ (In + Ga + Ce) vaut 0,30-0,52, (c) le rapport des nombres d'atomes de Ce/ (In + Ga + Ce) vaut 0,16-0,32, (d) le rapport des nombres d'atomes de Sn/ (In + Ga + Ce + Sn + Ti) vaut 0,04 ou moins et (e) le rapport des nombres d'atomes de Ti/ (In + Ga + Ce + Sn + Ti) vaut 0,01 ou moins, et la différence de couleur L*a*b* (ΔE *), telle que mesurée dans l'espace CIE 1976, est de 5,0 ou moins entre la surface et la position centrale dans la direction de l'épaisseur du comprimé fritté.

【課題】高い屈折率を有し、可視域短波長側の消衰係数が低い光学膜を、直流スパッタリング法により成膜することが可能な酸化インジウム系スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化スズおよび酸化チタンの合計含有量が、９８．５モル％以上であり、（ａ）Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）原子数比が０．３０～０．５４、（ｂ）Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）原子数比が０．３０～０．５２、（ｃ）Ｃｅ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ）原子数比が０．１６～０．３２、（ｄ）Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ＋Ｓｎ＋Ｔｉ）原子数比が０．０４以下、（ｅ）Ｔｉ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｃｅ＋Ｓｎ＋Ｔｉ）原子数比が０．０１以下、であり、その表面と厚さ方向中心位置との間において、ＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊色差：ΔＥ＊が５．０以下である酸化物焼結体を用いて、スパッタリングターゲットを形成する。