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NIOBIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET COMPRISING SINTERED COMPACT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NIOBIUM OXIDE SINTERED COMPACT
The present invention is a niobium oxide sintered compact characterized by having the composition NbOx (2 < x < 2.5). The present invention provides a niobium oxide sintered compact which can be applied as a sputtering target for forming a high-quality resistance change layer for ReRAM. The present invention particularly addresses the problem of providing a high-density niobium oxide sintered compact suitable for stabilization of sputtering.
La présente invention concerne un comprimé fritté d'oxyde de niobium caractérisé en ce qu'il a la composition NbOx (2 < x < 2,5). Le comprimé fritté d'oxyde de niobium selon la présente invention peut être appliqué en tant que cible de pulvérisation cathodique pour la formation d'une couche à changement de résistance de haute qualité pour mémoire ReRAM. La présente invention concerne en particulier un comprimé fritté d'oxyde de niobium de haute densité convenant pour la stabilisation de la pulvérisation cathodique.
本発明は、ＮｂＯｘ（２＜ｘ＜２．５）の組成を有することを特徴とするニオブ酸化物焼結体。ＲｅＲＡＭ用の高品質な抵抗変化層を形成するためのスパッタリングターゲットに適用できるニオブ酸化物焼結体を提供するものである。特にスパッタリングの安定化に適した高密度の二オブ酸化物焼結体を提供することを課題とする。
NIOBIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET COMPRISING SINTERED COMPACT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NIOBIUM OXIDE SINTERED COMPACT
The present invention is a niobium oxide sintered compact characterized by having the composition NbOx (2 < x < 2.5). The present invention provides a niobium oxide sintered compact which can be applied as a sputtering target for forming a high-quality resistance change layer for ReRAM. The present invention particularly addresses the problem of providing a high-density niobium oxide sintered compact suitable for stabilization of sputtering.
La présente invention concerne un comprimé fritté d'oxyde de niobium caractérisé en ce qu'il a la composition NbOx (2 < x < 2,5). Le comprimé fritté d'oxyde de niobium selon la présente invention peut être appliqué en tant que cible de pulvérisation cathodique pour la formation d'une couche à changement de résistance de haute qualité pour mémoire ReRAM. La présente invention concerne en particulier un comprimé fritté d'oxyde de niobium de haute densité convenant pour la stabilisation de la pulvérisation cathodique.
本発明は、ＮｂＯｘ（２＜ｘ＜２．５）の組成を有することを特徴とするニオブ酸化物焼結体。ＲｅＲＡＭ用の高品質な抵抗変化層を形成するためのスパッタリングターゲットに適用できるニオブ酸化物焼結体を提供するものである。特にスパッタリングの安定化に適した高密度の二オブ酸化物焼結体を提供することを課題とする。
NIOBIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET COMPRISING SINTERED COMPACT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NIOBIUM OXIDE SINTERED COMPACT
COMPRIMÉ FRITTÉ D'OXYDE DE NIOBIUM, CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE COMPRENANT LE COMPRIMÉ FRITTÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPRIMÉ FRITTÉ D'OXYDE DE NIOBIUM
ニオブ酸化物焼結体及び該焼結体からなるスパッタリングターゲット並びにニオブ酸化物焼結体の製造方法
NARITA SATOYASU (Autor:in)
14.04.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2017
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Oxide sintered compact and sputtering target formed from said oxide sintered compact
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