The purpose of the present invention is to reduce the occurrence of arcing during a production process, thereby improving the yield of the production process. This sputtering target is characterized by comprising a plurality of target members which are configured from a ceramic and are bonded to a base that is configured from a metal, with a bonding material being interposed therebetween, said bonding material being configured from a low-melting-point metal that has a melting point of 300°C or less. This sputtering target is also characterized in that: a surface of the base, with which the bonding material is in contact, has a surface roughness (Ra) of 1.8 μm or more; and each of the plurality of target members has a hollow cylindrical shape, while having a circular surface that faces an adjacent target member at a predetermined distance if the plurality of target members are bonded to the base so as to surround the outer circumferential surface of the base; and the circular surface has a surface roughness (Ra) of from 2.0 μm to 8.0 μm (inclusive).

La présente invention vise à réduire l'apparition d'un arc électrique au cours d'un procédé de production, de sorte à améliorer le rendement du procédé de production. La cible de pulvérisation cathodique selon l'invention est caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité d'éléments de cible qui sont faits à partir d'une céramique et sont liés à une base qui est faite à partir d'un métal, un matériau de liaison étant interposé entre ceux-ci, ledit matériau de liaison étant fait à base d'un métal à point de fusion bas qui présente un point de fusion inférieur ou égal à 300 °C. Ladite cible de pulvérisation cathodique est également caractérisée en ce que : une surface de la base, avec laquelle le matériau de liaison est en contact, présente une rugosité de surface (Ra) supérieure ou égale à 1,8 µm ; et chacun de la pluralité d'éléments de cible présente une forme cylindrique creuse, tout en ayant une surface circulaire orientée vers un élément de cible adjacent à une distance prédéterminée si la pluralité d'éléments de cible sont liés à la base de manière à entourer la surface circonférentielle externe de la base ; et la surface circulaire présente une rugosité de surface (Ra) de 2,0 μm à 8,0 μm (inclus).

　製造プロセス中のアーキングの発生を低減させ、製造プロセスの歩留りを向上させることを目的とする。スパッタリングターゲットは、融点が３００℃以下の低融点金属で構成される接合材を介して金属で構成される基材に接合された、セラミックスで構成される複数のターゲット部材を含み、前記基材の前記接合材が接する面における表面粗さ（Ｒａ）が１．８μｍ以上であり、前記複数のターゲット部材は、中空の円筒形状であり、かつ前記基材に当該基材の外周面を囲むように接合された際にそれぞれ隣接するターゲット部材と所定の間隔を置いて対向する円形面を有し、前記円形面における表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以上８．０μｍ以下であることを特徴とする。