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SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
본 발명의 스퍼터링 타깃은, 화학식 : ZnxSnyOz (단, x + y = 2, 또한, z = x + 2y - α(x + 2y)) 의 조성을 갖고, 결손 계수 α = 0.002 ∼ 0.03 및 산소의 성분비 z = 2.1 ∼ 3.8 의 조건을 만족시키는 ZnSn 산화물로 이루어지는 소결체로서, 상기 소결체의 두께 방향에 있어서의 비저항의 평균에 대한 편차가 50 % 이하이다.
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
본 발명의 스퍼터링 타깃은, 화학식 : ZnxSnyOz (단, x + y = 2, 또한, z = x + 2y - α(x + 2y)) 의 조성을 갖고, 결손 계수 α = 0.002 ∼ 0.03 및 산소의 성분비 z = 2.1 ∼ 3.8 의 조건을 만족시키는 ZnSn 산화물로 이루어지는 소결체로서, 상기 소결체의 두께 방향에 있어서의 비저항의 평균에 대한 편차가 50 % 이하이다.
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
06.04.2021
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch