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AL2O3 SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
An Al2O3 sputtering target which is characterized by having a purity of 99.99 wt% or more, a relative density of from 85% to 95% (inclusive), a volume resistivity of 10 × 1014 Ω·cm or less and a dielectric loss tangent of 15 × 10-4 or more. The present invention addresses the problem of providing: an Al2O3 sputtering target which has good sputtering characteristics, especially an Al2O3 sputtering target which is capable of increasing the film formation rate without increasing the sputtering power; and a method for producing this Al2O3 sputtering target.
L'invention concerne une cible de pulvérisation d'Al2O3 qui est caractérisée en ce qu'elle présente une pureté de 99,99 % en poids ou plus, une masse volumique relative de 85 % à 95 % (inclus), une résistivité volumique de 10 × 1014 Ω·cm ou moins et une tangente de perte diélectrique de 15 × 10-4 ou plus. La présente invention aborde le problème consistant à fournir : une cible de pulvérisation d'Al2O3 qui présente de bonnes caractéristiques de pulvérisation, en particulier une cible de pulvérisation d'Al2O3 qui est capable d'augmenter le taux de formation de film sans augmenter la puissance de pulvérisation ; et un procédé de production de cette cible de pulvérisation d'Al2O3.
純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、相対密度が８５％以上、９５％以下であって、体積抵抗率が１０×１０１４Ω・ｃｍ以下、誘電正接が１５×１０－４以上、であることを特徴とするＡｌ２Ｏ３スパッタリングターゲット。本発明は、良好なスパッタリング特性を有するＡｌ２Ｏ３スパッタリングターゲット、特に、スパッタパワーを上げなくても、成膜レートを高めることができる、Ａｌ２Ｏ３スパッタリングターゲット、及びその製造方法を提供することを課題とする。
AL2O3 SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
An Al2O3 sputtering target which is characterized by having a purity of 99.99 wt% or more, a relative density of from 85% to 95% (inclusive), a volume resistivity of 10 × 1014 Ω·cm or less and a dielectric loss tangent of 15 × 10-4 or more. The present invention addresses the problem of providing: an Al2O3 sputtering target which has good sputtering characteristics, especially an Al2O3 sputtering target which is capable of increasing the film formation rate without increasing the sputtering power; and a method for producing this Al2O3 sputtering target.
L'invention concerne une cible de pulvérisation d'Al2O3 qui est caractérisée en ce qu'elle présente une pureté de 99,99 % en poids ou plus, une masse volumique relative de 85 % à 95 % (inclus), une résistivité volumique de 10 × 1014 Ω·cm ou moins et une tangente de perte diélectrique de 15 × 10-4 ou plus. La présente invention aborde le problème consistant à fournir : une cible de pulvérisation d'Al2O3 qui présente de bonnes caractéristiques de pulvérisation, en particulier une cible de pulvérisation d'Al2O3 qui est capable d'augmenter le taux de formation de film sans augmenter la puissance de pulvérisation ; et un procédé de production de cette cible de pulvérisation d'Al2O3.
純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、相対密度が８５％以上、９５％以下であって、体積抵抗率が１０×１０１４Ω・ｃｍ以下、誘電正接が１５×１０－４以上、であることを特徴とするＡｌ２Ｏ３スパッタリングターゲット。本発明は、良好なスパッタリング特性を有するＡｌ２Ｏ３スパッタリングターゲット、特に、スパッタパワーを上げなくても、成膜レートを高めることができる、Ａｌ２Ｏ３スパッタリングターゲット、及びその製造方法を提供することを課題とする。
AL2O3 SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
CIBLE DE PULVÉRISATION D'AL2O3 ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Ａｌ２Ｏ３スパッタリングターゲット及びその製造方法
KOIDO YOSHIMASA (Autor:in)
20.09.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
AL2O3 SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
| Europäisches Patentamt | 2019
| Europäisches Patentamt | 2020