Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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GARNET COMPOUND, OXIDE SINTERED COMPACT, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, ELECTRONIC DEVICE AND IMAGE SENSOR
Provided is an oxide sintered compact containing the elements In, Y, and Ga in atomic ratios which fall within the ranges prescribed by formulae (1) to (3). Formula (1): 0.80≤In/(In+Y+Ga) ≤0.96 Formula (2): 0.02≤Y/(In+Y+Ga)≤0.10 Formula (3): 0.02≤Ga/(In+Y+Ga) ≤0.10. Element Al is contained in an atomic ratio which falls within the range prescribed by formula (4). Formula (4): 0.005≤Al/(In+Y+Ga+Al)≤0.07. (In the formula, In, Y, Ga and Al respectively represent the number of atoms of the elements In, Y, Ga and Al in the oxide sintered compact.)
La présente invention concerne un comprimé fritté d'oxyde contenant les éléments In, Y et Ga dans des rapports atomiques qui sont situés dans les plages prescrites par les formules (1) à (3). Formule (1) : 0,80 ≤ In/(In+Y+Ga) ≤ 0,96 Formule (2) : 0,02 ≤ Y/(In+Y+Ga) ≤ 0,10 Formule (3) : 0,02 ≤ Ga/(In+Y+Ga) ≤ 0,10. Al élémentaire est contenu dans un rapport atomique qui est situé dans la plage prescrite par la formule (4). Formula (4) : 0,005 ≤ Al/(In+Y+Ga+Al) ≤ 0,07. (Dans la formule, In, Y, Ga et Al représentent respectivement le nombre d'atomes des éléments In, Y, Ga et Al dans le compact fritté d'oxyde.)
Ｉｎ元素、Ｙ元素、およびＧａ元素を下記式（１）から（３）に規定する範囲の原子比 ０．８０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｙ＋Ｇａ）≦０．９６ ・・・（１） ０．０２≦Ｙ ／（Ｉｎ＋Ｙ＋Ｇａ）≦０．１０ ・・・（２） ０．０２≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｙ＋Ｇａ）≦０．１０ ・・・（３） で含有し、 かつ、Ａｌ元素を下記式（４）に規定する範囲の原子比 ０．００５≦Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｙ＋Ｇａ＋Ａｌ）≦０．０７ ・・・（４） で含有する酸化物焼結体。 （式中、Ｉｎ、Ｙ、Ｇａ、Ａｌは、それぞれ酸化物焼結体中のＩｎ元素、Ｙ元素、Ｇａ元素およびＡｌ元素の原子数を示す。）
GARNET COMPOUND, OXIDE SINTERED COMPACT, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, ELECTRONIC DEVICE AND IMAGE SENSOR
Provided is an oxide sintered compact containing the elements In, Y, and Ga in atomic ratios which fall within the ranges prescribed by formulae (1) to (3). Formula (1): 0.80≤In/(In+Y+Ga) ≤0.96 Formula (2): 0.02≤Y/(In+Y+Ga)≤0.10 Formula (3): 0.02≤Ga/(In+Y+Ga) ≤0.10. Element Al is contained in an atomic ratio which falls within the range prescribed by formula (4). Formula (4): 0.005≤Al/(In+Y+Ga+Al)≤0.07. (In the formula, In, Y, Ga and Al respectively represent the number of atoms of the elements In, Y, Ga and Al in the oxide sintered compact.)
La présente invention concerne un comprimé fritté d'oxyde contenant les éléments In, Y et Ga dans des rapports atomiques qui sont situés dans les plages prescrites par les formules (1) à (3). Formule (1) : 0,80 ≤ In/(In+Y+Ga) ≤ 0,96 Formule (2) : 0,02 ≤ Y/(In+Y+Ga) ≤ 0,10 Formule (3) : 0,02 ≤ Ga/(In+Y+Ga) ≤ 0,10. Al élémentaire est contenu dans un rapport atomique qui est situé dans la plage prescrite par la formule (4). Formula (4) : 0,005 ≤ Al/(In+Y+Ga+Al) ≤ 0,07. (Dans la formule, In, Y, Ga et Al représentent respectivement le nombre d'atomes des éléments In, Y, Ga et Al dans le compact fritté d'oxyde.)
Ｉｎ元素、Ｙ元素、およびＧａ元素を下記式（１）から（３）に規定する範囲の原子比 ０．８０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｙ＋Ｇａ）≦０．９６ ・・・（１） ０．０２≦Ｙ ／（Ｉｎ＋Ｙ＋Ｇａ）≦０．１０ ・・・（２） ０．０２≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｙ＋Ｇａ）≦０．１０ ・・・（３） で含有し、 かつ、Ａｌ元素を下記式（４）に規定する範囲の原子比 ０．００５≦Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｙ＋Ｇａ＋Ａｌ）≦０．０７ ・・・（４） で含有する酸化物焼結体。 （式中、Ｉｎ、Ｙ、Ｇａ、Ａｌは、それぞれ酸化物焼結体中のＩｎ元素、Ｙ元素、Ｇａ元素およびＡｌ元素の原子数を示す。）
GARNET COMPOUND, OXIDE SINTERED COMPACT, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, ELECTRONIC DEVICE AND IMAGE SENSOR
COMPOSÉ DE GRENAT, COMPACT FRITTÉ D'OXYDE, FILM MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE, TRANSISTOR À COUCHE MINCE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET CAPTEUR D'IMAGE
ガーネット化合物、酸化物焼結体、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、電子機器、およびイメージセンサー
INOUE KAZUYOSHI (Autor:in) / SHIBATA MASATOSHI (Autor:in) / KAWASHIMA EMI (Autor:in) / TSURUMA YUKI (Autor:in) / TOMAI SHIGEKAZU (Autor:in)
04.10.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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