Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
Provided is an oxide sintered compact which contains, as main constituent elements, an In element, a Ga element, an Al element, and a predetermined X element comprising a positive trivalent element, wherein the atomic ratios of the In element, the Ga element, the Al element, and the X element satisfy formulae (1) to (3) ((1): 0.05 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 0.20, (2): 0.015 ≤ (Al+X)/(In+Ga+Al+X) ≤ 0.07, and (3): 0.10 ≤ Al/(Al+X) ≤ 0.90, wherein In, Ga, Al and X respectively represent the number of atoms of the In element, the Ga element, the Al element and the X element in the oxide sintered compact). The oxide sintered compact contains a bixbyite crystal phase represented by In2O3 and a crystal phase having diffraction peak in a incident angle (2θ) range observed by a predetermined X ray (Cu-Kα line) diffraction measurement.
L'invention concerne un corps compact fritté d'oxyde qui contient, en tant qu'éléments constitutifs principaux, un élément In, un élément Ga, un élément Al et un élément X prédéterminé comprenant un élément trivalent positif, les rapports atomiques de l'élément In, de l'élément Ga, de l'élément Al et de l'élément X satisfaisant aux formules (1) à (3) ((1) : 0,05 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 0,20, (2): 0,015 ≤ (Al+X)/(In+Ga+Al+X) ≤ 0,07, et (3): 0,10 ≤ Al/(Al+X) ≤ 0,90, où In, Ga, Al et X représentent respectivement le nombre d'atomes de l'élément In, de l'élément Ga, de l'élément Al et de l'élément X dans le corps compact fritté d'oxyde). Le corps compact fritté d'oxyde contient une phase cristalline de bixbyite représentée par In2O3 et une phase cristalline ayant un pic de diffraction dans une plage d'angle incident (2θ) observée par une mesure de diffraction de rayons X (ligne Cu-Kα) prédéterminée.
Ｉｎ元素、Ｇａ元素、Ａｌ元素、及び正３価からなる所定のＸ元素を主たる構成元素として含み、前記Ｉｎ元素、前記Ｇａ元素、前記Ａｌ元素、及び前記Ｘ元素の原子比が式（１）から式（３）（（１）：０．０５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．２０、（２）：０．０１５≦（Ａｌ＋Ｘ）／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ＋Ｘ）≦０．０７、（３）：０．１０≦Ａｌ／（Ａｌ＋Ｘ）≦０．９０；式中、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、及びＸは、それぞれ、酸化物焼結体中のＩｎ元素、Ｇａ元素、Ａｌ元素およびＸ元素の原子数を表す。）を満たし、Ｉｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト結晶相と、所定のＸ線（Ｃｕ－Ｋα線）回折測定により観測される入射角（２θ）の範囲で回折ピークを有する結晶相とを含む、酸化物焼結体。
OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
Provided is an oxide sintered compact which contains, as main constituent elements, an In element, a Ga element, an Al element, and a predetermined X element comprising a positive trivalent element, wherein the atomic ratios of the In element, the Ga element, the Al element, and the X element satisfy formulae (1) to (3) ((1): 0.05 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 0.20, (2): 0.015 ≤ (Al+X)/(In+Ga+Al+X) ≤ 0.07, and (3): 0.10 ≤ Al/(Al+X) ≤ 0.90, wherein In, Ga, Al and X respectively represent the number of atoms of the In element, the Ga element, the Al element and the X element in the oxide sintered compact). The oxide sintered compact contains a bixbyite crystal phase represented by In2O3 and a crystal phase having diffraction peak in a incident angle (2θ) range observed by a predetermined X ray (Cu-Kα line) diffraction measurement.
L'invention concerne un corps compact fritté d'oxyde qui contient, en tant qu'éléments constitutifs principaux, un élément In, un élément Ga, un élément Al et un élément X prédéterminé comprenant un élément trivalent positif, les rapports atomiques de l'élément In, de l'élément Ga, de l'élément Al et de l'élément X satisfaisant aux formules (1) à (3) ((1) : 0,05 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 0,20, (2): 0,015 ≤ (Al+X)/(In+Ga+Al+X) ≤ 0,07, et (3): 0,10 ≤ Al/(Al+X) ≤ 0,90, où In, Ga, Al et X représentent respectivement le nombre d'atomes de l'élément In, de l'élément Ga, de l'élément Al et de l'élément X dans le corps compact fritté d'oxyde). Le corps compact fritté d'oxyde contient une phase cristalline de bixbyite représentée par In2O3 et une phase cristalline ayant un pic de diffraction dans une plage d'angle incident (2θ) observée par une mesure de diffraction de rayons X (ligne Cu-Kα) prédéterminée.
Ｉｎ元素、Ｇａ元素、Ａｌ元素、及び正３価からなる所定のＸ元素を主たる構成元素として含み、前記Ｉｎ元素、前記Ｇａ元素、前記Ａｌ元素、及び前記Ｘ元素の原子比が式（１）から式（３）（（１）：０．０５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．２０、（２）：０．０１５≦（Ａｌ＋Ｘ）／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ＋Ｘ）≦０．０７、（３）：０．１０≦Ａｌ／（Ａｌ＋Ｘ）≦０．９０；式中、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、及びＸは、それぞれ、酸化物焼結体中のＩｎ元素、Ｇａ元素、Ａｌ元素およびＸ元素の原子数を表す。）を満たし、Ｉｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト結晶相と、所定のＸ線（Ｃｕ－Ｋα線）回折測定により観測される入射角（２θ）の範囲で回折ピークを有する結晶相とを含む、酸化物焼結体。
OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, OXIDE THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
CORPS COMPACT FRITTÉ D'OXYDE, CIBLE DE PULVÉRISATION, FILM MINCE D'OXYDE, TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、酸化物薄膜、薄膜トランジスタ、及び電子機器
OYAMA MASASHI (Autor:in) / ITOSE MAMI (Autor:in)
03.10.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET AND OXIDE THIN FILM
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, SPUTTERING TARGET, AND SINTERED OXIDE
| Europäisches Patentamt | 2023
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN-FILM TRANSISTOR
| Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN-FILM TRANSISTOR
| Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SINTERED COMPACT OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE THIN FILM
Europäisches Patentamt | 2019