Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
Embodiments of methods to form three-dimensional (3D) memory devices include the following operations. First, an initial channel hole is formed in a stack structure of a plurality first layers and a plurality of second layers alternatingly arranged over a substrate. An offset is formed between a side surface of each one of the plurality of first layers and a side surface of each one of the plurality of second layers on a sidewall of the initial channel hole to form a channel hole. A semiconductor channel is formed by filling the channel hole with a channel-forming structure, the semiconductor channel having a memory layer including a plurality of first memory portions each surrounding a bottom of a respective second layer and a plurality of second memory portions each connecting adjacent first memory portions.
L'invention concerne des modes de réalisation de procédés pour former des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) comprenant les opérations suivantes. Tout d'abord, un trou de canal initial est formé dans une structure d'empilement d'une pluralité de premières couches et d'une pluralité de secondes couches disposées en alternance sur un substrat. Un décalage peut être formé entre une surface latérale de chacune de la pluralité de premières couches et une surface latérale de chacune de la pluralité de secondes couches sur une paroi latérale du trou de canal initial pour former un trou de canal. Un canal semi-conducteur est formé par remplissage du trou de canal avec une structure de formation de canal, le canal semi-conducteur ayant une couche de mémoire comprenant une pluralité de premières parties de mémoire entourant chacune un fond d'une seconde couche respective et une pluralité de secondes parties de mémoire reliant chacune des premières parties de mémoire adjacentes.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
Embodiments of methods to form three-dimensional (3D) memory devices include the following operations. First, an initial channel hole is formed in a stack structure of a plurality first layers and a plurality of second layers alternatingly arranged over a substrate. An offset is formed between a side surface of each one of the plurality of first layers and a side surface of each one of the plurality of second layers on a sidewall of the initial channel hole to form a channel hole. A semiconductor channel is formed by filling the channel hole with a channel-forming structure, the semiconductor channel having a memory layer including a plurality of first memory portions each surrounding a bottom of a respective second layer and a plurality of second memory portions each connecting adjacent first memory portions.
L'invention concerne des modes de réalisation de procédés pour former des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) comprenant les opérations suivantes. Tout d'abord, un trou de canal initial est formé dans une structure d'empilement d'une pluralité de premières couches et d'une pluralité de secondes couches disposées en alternance sur un substrat. Un décalage peut être formé entre une surface latérale de chacune de la pluralité de premières couches et une surface latérale de chacune de la pluralité de secondes couches sur une paroi latérale du trou de canal initial pour former un trou de canal. Un canal semi-conducteur est formé par remplissage du trou de canal avec une structure de formation de canal, le canal semi-conducteur ayant une couche de mémoire comprenant une pluralité de premières parties de mémoire entourant chacune un fond d'une seconde couche respective et une pluralité de secondes parties de mémoire reliant chacune des premières parties de mémoire adjacentes.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
XIAO LI HONG (Autor:in)
08.10.2020
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2019