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A method for forming a 3D memory device is disclosed. The method includes: forming an alternating dielectric stack on a substrate; forming a temporary top selective gate cut in an upper portion of the alternating dielectric stack and extending along a lateral direction; forming a plurality of channel holes penetrating the alternating dielectric stack; removing the temporary top selective gate cut; and forming, simultaneously, a plurality of channel structures in the plurality of channel holes and a top selective gate cut structure.
L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire 3D. Le procédé consiste à : former une pile diélectrique alternée sur un substrat ; former une découpe de grille sélective supérieure temporaire dans une partie supérieure de la pile diélectrique alternée et s'étendant le long d'une direction latérale ; former une pluralité de trous de canal pénétrant dans la pile diélectrique alternée ; retirer la découpe de grille sélective supérieure temporaire ; et former, simultanément, une pluralité de structures de canal dans la pluralité de trous de canal et une structure de découpe de grille sélective supérieure.
A method for forming a 3D memory device is disclosed. The method includes: forming an alternating dielectric stack on a substrate; forming a temporary top selective gate cut in an upper portion of the alternating dielectric stack and extending along a lateral direction; forming a plurality of channel holes penetrating the alternating dielectric stack; removing the temporary top selective gate cut; and forming, simultaneously, a plurality of channel structures in the plurality of channel holes and a top selective gate cut structure.
L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire 3D. Le procédé consiste à : former une pile diélectrique alternée sur un substrat ; former une découpe de grille sélective supérieure temporaire dans une partie supérieure de la pile diélectrique alternée et s'étendant le long d'une direction latérale ; former une pluralité de trous de canal pénétrant dans la pile diélectrique alternée ; retirer la découpe de grille sélective supérieure temporaire ; et former, simultanément, une pluralité de structures de canal dans la pluralité de trous de canal et une structure de découpe de grille sélective supérieure.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
ZHANG KUN (Autor:in)
30.04.2020
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2019
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2019
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
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