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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
Embodiments of a method for forming a three-dimensional (3D) memory device includes the following operations. First, a channel hole is formed in a stack structure of a plurality first layers and a plurality of second layers alternatingly arranged over a substrate. A semiconductor channel is formed by filling the channel hole with a channel-forming structure. The plurality of first layers is removed. A plurality of conductor layers is formed from the plurality of second layers. Further, a gate-to-gate dielectric layer is formed between the adjacent conductor layers, the gate-to-gate dielectric layer including at least one sub-layer of silicon oxynitride.
L'invention concerne des modes de réalisation d'un procédé de formation d'un dispositif de mémoire 3D comprenant les opérations suivantes. Tout d'abord, un trou de canal est formé dans une structure d'empilement d'une pluralité de premières couches et une pluralité de secondes couches disposées en alternance sur un substrat. Un canal semi-conducteur est formé par remplissage du trou de canal avec une structure de formation de canal. La pluralité de premières couches est retirée. Une pluralité de couches conductrices est formée à partir de la pluralité de secondes couches. En outre, une couche diélectrique de grille à grille est formée entre les couches conductrices adjacentes, la couche diélectrique de grille à grille comprenant au moins une sous-couche d'oxynitrure de silicium.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
Embodiments of a method for forming a three-dimensional (3D) memory device includes the following operations. First, a channel hole is formed in a stack structure of a plurality first layers and a plurality of second layers alternatingly arranged over a substrate. A semiconductor channel is formed by filling the channel hole with a channel-forming structure. The plurality of first layers is removed. A plurality of conductor layers is formed from the plurality of second layers. Further, a gate-to-gate dielectric layer is formed between the adjacent conductor layers, the gate-to-gate dielectric layer including at least one sub-layer of silicon oxynitride.
L'invention concerne des modes de réalisation d'un procédé de formation d'un dispositif de mémoire 3D comprenant les opérations suivantes. Tout d'abord, un trou de canal est formé dans une structure d'empilement d'une pluralité de premières couches et une pluralité de secondes couches disposées en alternance sur un substrat. Un canal semi-conducteur est formé par remplissage du trou de canal avec une structure de formation de canal. La pluralité de premières couches est retirée. Une pluralité de couches conductrices est formée à partir de la pluralité de secondes couches. En outre, une couche diélectrique de grille à grille est formée entre les couches conductrices adjacentes, la couche diélectrique de grille à grille comprenant au moins une sous-couche d'oxynitrure de silicium.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
XIAO LI HONG (Autor:in)
08.10.2020
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2019
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020