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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
Embodiments of a method for forming three-dimensional (3D) memory devices include the following operations. First, an initial channel hole is formed in a stack structure of a plurality first layers and a plurality of second layers alternatingly arranged over a substrate. An offset is formed between a side surface of each one of the plurality of first layers and a side surface of each one of the plurality of second layers on a sidewall of the initial channel hole to form a channel hole. A semiconductor channel is formed by filling the channel hole with a channel-forming structure. The semiconductor channel may have a memory layer including a plurality of first memory portions each surrounding a bottom of a respective second layer and a plurality of second memory portions each connecting adjacent first memory portions. Further, the plurality of second memory portions is removed.
Conformément à des modes de réalisation, la présente invention concerne un procédé pour former des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D), lequel procédé comprend les opérations suivantes. Premièrement, un trou de canal initial est formé dans une structure de pile d'une pluralité de premières couches et d'une pluralité de secondes couches agencées de manière alternée sur un substrat. Un décalage est formé entre une surface latérale de chacune de la pluralité de premières couches et une surface latérale de chacune de la pluralité de secondes couches sur une paroi latérale du trou de canal initial pour former un trou de canal. Un canal semi-conducteur est formé par remplissage du trou de canal avec une structure de formation de canal. Le canal semi-conducteur peut avoir une couche de mémoire comprenant une pluralité de premières parties de mémoire entourant chacune un fond d'une seconde couche respective et une pluralité de secondes parties de mémoire reliant chacune des premières parties de mémoire adjacentes. En outre, la pluralité de secondes parties de mémoire sont retirées.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
Embodiments of a method for forming three-dimensional (3D) memory devices include the following operations. First, an initial channel hole is formed in a stack structure of a plurality first layers and a plurality of second layers alternatingly arranged over a substrate. An offset is formed between a side surface of each one of the plurality of first layers and a side surface of each one of the plurality of second layers on a sidewall of the initial channel hole to form a channel hole. A semiconductor channel is formed by filling the channel hole with a channel-forming structure. The semiconductor channel may have a memory layer including a plurality of first memory portions each surrounding a bottom of a respective second layer and a plurality of second memory portions each connecting adjacent first memory portions. Further, the plurality of second memory portions is removed.
Conformément à des modes de réalisation, la présente invention concerne un procédé pour former des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D), lequel procédé comprend les opérations suivantes. Premièrement, un trou de canal initial est formé dans une structure de pile d'une pluralité de premières couches et d'une pluralité de secondes couches agencées de manière alternée sur un substrat. Un décalage est formé entre une surface latérale de chacune de la pluralité de premières couches et une surface latérale de chacune de la pluralité de secondes couches sur une paroi latérale du trou de canal initial pour former un trou de canal. Un canal semi-conducteur est formé par remplissage du trou de canal avec une structure de formation de canal. Le canal semi-conducteur peut avoir une couche de mémoire comprenant une pluralité de premières parties de mémoire entourant chacune un fond d'une seconde couche respective et une pluralité de secondes parties de mémoire reliant chacune des premières parties de mémoire adjacentes. En outre, la pluralité de secondes parties de mémoire sont retirées.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
XIAO LI HONG (Autor:in)
08.10.2020
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2019
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020