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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FORMING METHODS
Embodiments of three-dimensional (3D) memory devices and methods for forming the same are disclosed. In an example, a 3D memory device includes a substrate and a plurality of memory decks stacked above the substrate. Each of the memory decks includes a gate electrode, a blocking layer on the gate electrode, a plurality of charge trapping layers on the blocking layer, a tunneling layer on the plurality of charge trapping layers, a channel layer on the tunneling layer, and an inter-deck dielectric layer on the channel layer. The plurality of charge trapping layers are discrete and disposed at different levels. A top surface of the inter-deck dielectric layer is nominally flat. The gate electrode of another one of the memory decks immediately above the memory deck is disposed on the top surface of the inter-deck dielectric layer.
La présente invention concerne, selon certains modes de réalisation, des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) et leurs procédés de formation. Dans un exemple, un dispositif de mémoire ferroélectrique 3D comprend un substrat et une pluralité de cellules de mémoire ferroélectrique s'étendant chacune verticalement au-dessus du substrat. Chacun des ponts de mémoire comprend une électrode de grille, une couche de blocage sur l'électrode de grille, une pluralité de couches de piégeage de charge sur la couche de blocage, une couche de tunnellisation sur la pluralité de couches de piégeage de charge, une couche de canal sur la couche de tunnellisation, et une couche diélectrique inter-ponts sur la couche de canal. La pluralité de couches de piégeage de charges sont discrètes et disposées à différents niveaux. Une surface supérieure de la couche diélectrique inter-ponts est nominalement plate. L'électrode de grille d'un autre des ponts de mémoire immédiatement au-dessus du pont de mémoire est disposée sur la surface supérieure de la couche diélectrique inter-pont.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FORMING METHODS
Embodiments of three-dimensional (3D) memory devices and methods for forming the same are disclosed. In an example, a 3D memory device includes a substrate and a plurality of memory decks stacked above the substrate. Each of the memory decks includes a gate electrode, a blocking layer on the gate electrode, a plurality of charge trapping layers on the blocking layer, a tunneling layer on the plurality of charge trapping layers, a channel layer on the tunneling layer, and an inter-deck dielectric layer on the channel layer. The plurality of charge trapping layers are discrete and disposed at different levels. A top surface of the inter-deck dielectric layer is nominally flat. The gate electrode of another one of the memory decks immediately above the memory deck is disposed on the top surface of the inter-deck dielectric layer.
La présente invention concerne, selon certains modes de réalisation, des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) et leurs procédés de formation. Dans un exemple, un dispositif de mémoire ferroélectrique 3D comprend un substrat et une pluralité de cellules de mémoire ferroélectrique s'étendant chacune verticalement au-dessus du substrat. Chacun des ponts de mémoire comprend une électrode de grille, une couche de blocage sur l'électrode de grille, une pluralité de couches de piégeage de charge sur la couche de blocage, une couche de tunnellisation sur la pluralité de couches de piégeage de charge, une couche de canal sur la couche de tunnellisation, et une couche diélectrique inter-ponts sur la couche de canal. La pluralité de couches de piégeage de charges sont discrètes et disposées à différents niveaux. Une surface supérieure de la couche diélectrique inter-ponts est nominalement plate. L'électrode de grille d'un autre des ponts de mémoire immédiatement au-dessus du pont de mémoire est disposée sur la surface supérieure de la couche diélectrique inter-pont.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FORMING METHODS
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET PROCÉDÉS DE FORMATION
ZHU HONGBIN (Autor:in)
01.04.2021
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2023
METHODS FOR FORMING CHANNEL STRUCTURES IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES
| Europäisches Patentamt | 2021