Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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METHODS FOR FORMING CHANNEL STRUCTURES IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES
Methods for forming channel structures in 3D memory devices are disclosed. In one example, a memory film and a sacrificial layer are subsequently formed along a sidewall and a bottom of a channel hole. A protective structure covering a portion of the sacrificial layer along the sidewall of the channel hole is formed. A portion of the sacrificial layer at the bottom of the channel hole that is not covered by the protective structure is selectively removed. A portion of the memory film at the bottom of the channel hole that is not covered by a remainder of the sacrificial layer is selectively removed.
Des procédés de formation de structures de canal dans des dispositifs de mémoire 3D sont divulgués. Dans un exemple, un film de mémoire et une couche sacrificielle sont ensuite formés le long d'une paroi latérale et d'un fond d'un trou de canal. Une structure de protection recouvrant une partie de la couche sacrificielle le long de la paroi latérale du trou de canal est formée. Une partie de la couche sacrificielle au fond du trou de canal qui n'est pas recouverte par la structure de protection est sélectivement retirée. Une partie du film de mémoire au fond du trou de canal qui n'est pas recouverte par le reste de la couche sacrificielle est sélectivement retirée.
METHODS FOR FORMING CHANNEL STRUCTURES IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES
Methods for forming channel structures in 3D memory devices are disclosed. In one example, a memory film and a sacrificial layer are subsequently formed along a sidewall and a bottom of a channel hole. A protective structure covering a portion of the sacrificial layer along the sidewall of the channel hole is formed. A portion of the sacrificial layer at the bottom of the channel hole that is not covered by the protective structure is selectively removed. A portion of the memory film at the bottom of the channel hole that is not covered by a remainder of the sacrificial layer is selectively removed.
Des procédés de formation de structures de canal dans des dispositifs de mémoire 3D sont divulgués. Dans un exemple, un film de mémoire et une couche sacrificielle sont ensuite formés le long d'une paroi latérale et d'un fond d'un trou de canal. Une structure de protection recouvrant une partie de la couche sacrificielle le long de la paroi latérale du trou de canal est formée. Une partie de la couche sacrificielle au fond du trou de canal qui n'est pas recouverte par la structure de protection est sélectivement retirée. Une partie du film de mémoire au fond du trou de canal qui n'est pas recouverte par le reste de la couche sacrificielle est sélectivement retirée.
METHODS FOR FORMING CHANNEL STRUCTURES IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES
PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES DE CANAL DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
ZHENG XIAOFEN (Autor:in) / ZHU HONGBIN (Autor:in) / GU LIXUN (Autor:in) / YI HANWEI (Autor:in)
26.08.2021
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2023