Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
Three-dimensional (3D) memory devices and methods for forming the same are disclosed. In certain aspects, a stack structure includes interleaved dielectric layers and conductive layers, a channel structure extending in the stack structure, and a doped semiconductor layer arranged on the stack structure. The doped semiconductor layer covers an end of the channel structure and the stack structure, the channel structure includes a channel layer, and the channel layer includes a doped channel layer.
Des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) et leurs procédés de formation sont divulgués. Dans certains aspects, une structure de pile comprend des couches diélectriques et des couches conductrices entrelacées, une structure de canal s'étendant dans la structure de pile, et une couche semi-conductrice extrinsèque disposée sur la structure de pile. La couche semi-conductrice extrinsèque recouvre une extrémité de la structure de canal et de la structure de pile, la structure de canal comprend une couche de canal, et la couche de canal comprend une couche de canal extrinsèque.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
Three-dimensional (3D) memory devices and methods for forming the same are disclosed. In certain aspects, a stack structure includes interleaved dielectric layers and conductive layers, a channel structure extending in the stack structure, and a doped semiconductor layer arranged on the stack structure. The doped semiconductor layer covers an end of the channel structure and the stack structure, the channel structure includes a channel layer, and the channel layer includes a doped channel layer.
Des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) et leurs procédés de formation sont divulgués. Dans certains aspects, une structure de pile comprend des couches diélectriques et des couches conductrices entrelacées, une structure de canal s'étendant dans la structure de pile, et une couche semi-conductrice extrinsèque disposée sur la structure de pile. La couche semi-conductrice extrinsèque recouvre une extrémité de la structure de canal et de la structure de pile, la structure de canal comprend une couche de canal, et la couche de canal comprend une couche de canal extrinsèque.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
ZHANG KUN (Autor:in) / LIU LEI (Autor:in) / YANG TAO (Autor:in) / WU LINCHUN (Autor:in) / ZHOU WENXI (Autor:in) / XIA ZHILIANG (Autor:in) / HUO ZONGLIANG (Autor:in)
05.01.2023
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2024
MULTI-DECK THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2020