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ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY, CIRCUIT SUBSTRATE AND JUNCTION SUBSTRATE
An aluminum nitride sintered body 100 containing aluminum nitride as a principal component and zirconium nitride as a secondary component, wherein the zirconium nitride content is at least 3 mass% and the surface roughness of a main surface 100A is less than 0.9μm. A circuit substrate 300 is equipped with an aluminum nitride sintered body 100 and a conductor part 20 attached to a main surface 100A.
L'invention concerne un corps fritté en nitrure d'aluminium 100 contenant du nitrure d'aluminium en tant que composant principal et du nitrure de zirconium en tant que composant secondaire, la teneur en nitrure de zirconium étant d'au moins 3 % en masse et la rugosité de surface d'une surface principale 100A étant inférieure à 0,9 µm. Un substrat de circuit 300 est équipé d'un corps fritté en nitrure d'aluminium 100 et d'une partie conductrice 20 fixée à une surface principale 100A.
窒化アルミニウム焼結体１００は、主成分として窒化アルミニウムと、副成分として窒化ジルコニウムと、を含み、窒化ジルコニウムの含有量が３質量％以上であり、主面１００Ａの表面粗さが０．９μｍ未満である。回路基板３００は、窒化アルミニウム焼結体１００と、主面１００Ａに取り付けられる導体部２０と、を備える。
ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY, CIRCUIT SUBSTRATE AND JUNCTION SUBSTRATE
An aluminum nitride sintered body 100 containing aluminum nitride as a principal component and zirconium nitride as a secondary component, wherein the zirconium nitride content is at least 3 mass% and the surface roughness of a main surface 100A is less than 0.9μm. A circuit substrate 300 is equipped with an aluminum nitride sintered body 100 and a conductor part 20 attached to a main surface 100A.
L'invention concerne un corps fritté en nitrure d'aluminium 100 contenant du nitrure d'aluminium en tant que composant principal et du nitrure de zirconium en tant que composant secondaire, la teneur en nitrure de zirconium étant d'au moins 3 % en masse et la rugosité de surface d'une surface principale 100A étant inférieure à 0,9 µm. Un substrat de circuit 300 est équipé d'un corps fritté en nitrure d'aluminium 100 et d'une partie conductrice 20 fixée à une surface principale 100A.
窒化アルミニウム焼結体１００は、主成分として窒化アルミニウムと、副成分として窒化ジルコニウムと、を含み、窒化ジルコニウムの含有量が３質量％以上であり、主面１００Ａの表面粗さが０．９μｍ未満である。回路基板３００は、窒化アルミニウム焼結体１００と、主面１００Ａに取り付けられる導体部２０と、を備える。
ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY, CIRCUIT SUBSTRATE AND JUNCTION SUBSTRATE
CORPS FRITTÉ EN NITRURE D'ALUMINIUM, SUBSTRAT DE CIRCUIT ET SUBSTRAT DE JONCTION
窒化アルミニウム焼結体、回路基板、及び接合基板
YAMAGATA TOSHITAKA (Autor:in)
30.12.2021
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE
| Europäisches Patentamt | 2020
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE
| Europäisches Patentamt | 2022
| Europäisches Patentamt | 2020
| Europäisches Patentamt | 2020