Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
The present invention provides a sputtering target which is configured from an oxide sintered body that contains an oxide of the formula below containing indium, magnesium and tin. In the formula, X is 0.32 to 0.65; Y is 0.17 to 0.46; Z is more than 0 but not more than 0.22; and (X + Y + Z) = 1. InXMgYSnZ
La présente invention concerne une cible de pulvérisation qui est conçue à partir d'un corps fritté d'oxyde contenant un oxyde de la formule ci-dessous contenant de l'indium, du magnésium et de l'étain. Dans la formule, X est compris entre 0,32 et 0,65 ; Y est compris entre 0,17 et 0,46 ; Z est supérieur à 0 mais inférieur ou égal à 0,22 ; et (X + Y + Z) = 1. InXMgYSnZ
インジウム、マグネシウム、及びスズからなる下記式の酸化物を含む酸化物焼結体で構成され、下記式のＸが０．３２以上、０．６５以下、Ｙが０．１７以上、０．４６以下であり、Ｚが０を超え、０．２２以下であり、且つＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１となる範囲であるスパッタリングターゲット。 ＩｎＸＭｇＹＳｎＺ
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
The present invention provides a sputtering target which is configured from an oxide sintered body that contains an oxide of the formula below containing indium, magnesium and tin. In the formula, X is 0.32 to 0.65; Y is 0.17 to 0.46; Z is more than 0 but not more than 0.22; and (X + Y + Z) = 1. InXMgYSnZ
La présente invention concerne une cible de pulvérisation qui est conçue à partir d'un corps fritté d'oxyde contenant un oxyde de la formule ci-dessous contenant de l'indium, du magnésium et de l'étain. Dans la formule, X est compris entre 0,32 et 0,65 ; Y est compris entre 0,17 et 0,46 ; Z est supérieur à 0 mais inférieur ou égal à 0,22 ; et (X + Y + Z) = 1. InXMgYSnZ
インジウム、マグネシウム、及びスズからなる下記式の酸化物を含む酸化物焼結体で構成され、下記式のＸが０．３２以上、０．６５以下、Ｙが０．１７以上、０．４６以下であり、Ｚが０を超え、０．２２以下であり、且つＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１となる範囲であるスパッタリングターゲット。 ＩｎＸＭｇＹＳｎＺ
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法
TANINO KENTA (Autor:in) / KOBAYASHI MOTOSHI (Autor:in) / HANNA TAKU (Autor:in) / MATSUMOTO KOUICHI (Autor:in)
31.08.2023
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2022
| Europäisches Patentamt | 2019