Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
The present invention enables the achievement of: a sputtering target for the formation of an oxide semiconductor thin film, the sputtering target being capable of forming an oxide semiconductor thin film which is suitable for an active layer that achieves a good balance between high mobility and high band gap; a method for producing this sputtering target; an oxide semiconductor thin film; a thin film semiconductor device; and a method for producing a thin film semiconductor device. This sputtering target for the formation of an oxide semiconductor thin film forms an oxide semiconductor thin film, while being configured from an oxide sintered body that contains a specific oxide; and if the element ratio of the specific oxide is expressed by InXSnYGaVGawZnZ, X is within the range of 0.4 to 0.8, Y is within the range of 0 to 0.1 and Z is within the range of 0.2 to 0.6, while satisfying X + Y + Z = 1, V/(V + W + X + Y + Z) is 0.01 to 0.22 and W/(V + W + X + Y + Z) is 0.01 to 0.06.
La présente invention permet d'obtenir : une cible de pulvérisation pour la formation d'un film mince d'oxyde semi-conducteur, la cible de pulvérisation étant apte à former un film mince d'oxyde semi-conducteur qui est approprié pour une couche active permettant un bon équilibre entre une grande mobilité et une largeur de bande interdite élevée; un procédé de production de cette cible de pulvérisation; un film mince d'oxyde semi-conducteur; un dispositif semi-conducteur à film mince; et un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur à film mince. Cette cible de pulvérisation pour la formation d'un film mince d'oxyde semi-conducteur forme un film mince d'oxyde semi-conducteur, tout en étant conçue à partir d'un corps fritté d'oxyde qui contient un oxyde spécifique; et si le rapport entre éléments de l'oxyde spécifique est exprimé de la façon suivante : InXSnYGaVGaWZnZ, X se situe dans la plage de 0,4 à 0,8, Y dans la plage de 0 à 0,1 et Z dans la plage de 0,2 à 0,6, tandis que X + Y + Z = 1, V/(V + W + X + Y + Z) varie de 0,01 à 0,22 et W/(V + W + X + Y + Z) varie de 0,01 à 0,06.
高移動度と高バンドギャップの両立を図った活性層に適した酸化物半導体薄膜を形成できる酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法、酸化物半導体薄膜、さらには薄膜半導体装置及びその製造方法を実現する。 酸化物半導体薄膜を形成する酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットであって、所定の酸化物を含む酸化物焼結体で構成され、前記所定の酸化物の元素比をＩｎＸＳｎＹＧａＶＧｅｗＺｎＺとしたとき、Ｘが０．４～０．８、Ｙが０～０．１であり、Ｚが０．２～０．６であり、且つＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１となる範囲であり、Ｖ／（Ｖ＋Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）が０．０１以上０．２２以下であり、且つＷ／（Ｖ＋Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）が０．０１以上０．０６以下である、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
The present invention enables the achievement of: a sputtering target for the formation of an oxide semiconductor thin film, the sputtering target being capable of forming an oxide semiconductor thin film which is suitable for an active layer that achieves a good balance between high mobility and high band gap; a method for producing this sputtering target; an oxide semiconductor thin film; a thin film semiconductor device; and a method for producing a thin film semiconductor device. This sputtering target for the formation of an oxide semiconductor thin film forms an oxide semiconductor thin film, while being configured from an oxide sintered body that contains a specific oxide; and if the element ratio of the specific oxide is expressed by InXSnYGaVGawZnZ, X is within the range of 0.4 to 0.8, Y is within the range of 0 to 0.1 and Z is within the range of 0.2 to 0.6, while satisfying X + Y + Z = 1, V/(V + W + X + Y + Z) is 0.01 to 0.22 and W/(V + W + X + Y + Z) is 0.01 to 0.06.
La présente invention permet d'obtenir : une cible de pulvérisation pour la formation d'un film mince d'oxyde semi-conducteur, la cible de pulvérisation étant apte à former un film mince d'oxyde semi-conducteur qui est approprié pour une couche active permettant un bon équilibre entre une grande mobilité et une largeur de bande interdite élevée; un procédé de production de cette cible de pulvérisation; un film mince d'oxyde semi-conducteur; un dispositif semi-conducteur à film mince; et un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur à film mince. Cette cible de pulvérisation pour la formation d'un film mince d'oxyde semi-conducteur forme un film mince d'oxyde semi-conducteur, tout en étant conçue à partir d'un corps fritté d'oxyde qui contient un oxyde spécifique; et si le rapport entre éléments de l'oxyde spécifique est exprimé de la façon suivante : InXSnYGaVGaWZnZ, X se situe dans la plage de 0,4 à 0,8, Y dans la plage de 0 à 0,1 et Z dans la plage de 0,2 à 0,6, tandis que X + Y + Z = 1, V/(V + W + X + Y + Z) varie de 0,01 à 0,22 et W/(V + W + X + Y + Z) varie de 0,01 à 0,06.
高移動度と高バンドギャップの両立を図った活性層に適した酸化物半導体薄膜を形成できる酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法、酸化物半導体薄膜、さらには薄膜半導体装置及びその製造方法を実現する。 酸化物半導体薄膜を形成する酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットであって、所定の酸化物を含む酸化物焼結体で構成され、前記所定の酸化物の元素比をＩｎＸＳｎＹＧａＶＧｅｗＺｎＺとしたとき、Ｘが０．４～０．８、Ｙが０～０．１であり、Ｚが０．２～０．６であり、且つＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１となる範囲であり、Ｖ／（Ｖ＋Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）が０．０１以上０．２２以下であり、且つＷ／（Ｖ＋Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）が０．０１以上０．０６以下である、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
CIBLE DE PULVÉRISATION POUR LA FORMATION D'UN FILM MINCE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CIBLE DE PULVÉRISATION POUR LA FORMATION D'UN FILM MINCE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR, FILM MINCE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À FILM MINCE ET LEUR PROCÉDÉ DE PRODUCTION
酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法
TANINO KENTA (Autor:in) / HANNA TAKU (Autor:in) / TAKEUCHI MASATO (Autor:in) / TEZUKA NAOTO (Autor:in)
21.03.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2022
| Europäisches Patentamt | 2019
| Europäisches Patentamt | 2023