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Megarad-Resistant 10nm Gate Dielectrics

F. L. Terry / R. J. Aucoin / M. L. Naiman

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Titel:

Megarad-Resistant 10nm Gate Dielectrics

Beteiligte:

F. L. Terry (Autor:in) / R. J. Aucoin (Autor:in) / M. L. Naiman (Autor:in)

Erscheinungsdatum:

1981

Format / Umfang:

4 pages

Medientyp:

Report

Format:

Keine Angabe

Sprache:

Englisch

Schlagwörter:

Circuits , Radiation hardening , Gates(Circuits) , Silicon dioxide , Dielectrics , Nitrides , Electron irradiation , Reprints

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