A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
Die Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat, die Verwendung eines Kupfer-Keramik-Substrats und ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Kupfer-Keramik-Substrat und einem Elektronikbauteil.Das Kupfer-Keramik-Substrat umfasst: a) einen Keramikkörper und b) eine Kupferschicht, die mit dem Keramikkörper flächig verbunden ist, wobei die Kupferschicht eine Oberseite aufweist, wobei ein Energiespektrum, das bei einer Analyse der Oberseite der Kupferschicht durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie erhalten wird, ein Signal aufweist, das wenigstens einen Peak P1 mit einem Maximum in einem Bereich von 933,2 eV - 934,0 eV umfasst.
The invention relates to a copper-ceramic substrate, to the use of a copper-ceramic substrate, and to a method for producing a bonded connection between a copper-ceramic substrate and an electronic component. The copper-ceramic substrate comprises: a) a ceramic body and b) a copper layer which is connected to the ceramic body in a planar manner, wherein the copper layer has an upper face, and an energy spectrum, which is obtained by means of x-ray photoelectron spectroscopy during an analysis of the upper face of the copper layer, exhibits a signal which comprises at least one peak P1 with a maximum ranging from 933.2 eV – 934.0 eV.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
Die Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat, die Verwendung eines Kupfer-Keramik-Substrats und ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Kupfer-Keramik-Substrat und einem Elektronikbauteil.Das Kupfer-Keramik-Substrat umfasst: a) einen Keramikkörper und b) eine Kupferschicht, die mit dem Keramikkörper flächig verbunden ist, wobei die Kupferschicht eine Oberseite aufweist, wobei ein Energiespektrum, das bei einer Analyse der Oberseite der Kupferschicht durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie erhalten wird, ein Signal aufweist, das wenigstens einen Peak P1 mit einem Maximum in einem Bereich von 933,2 eV - 934,0 eV umfasst.
The invention relates to a copper-ceramic substrate, to the use of a copper-ceramic substrate, and to a method for producing a bonded connection between a copper-ceramic substrate and an electronic component. The copper-ceramic substrate comprises: a) a ceramic body and b) a copper layer which is connected to the ceramic body in a planar manner, wherein the copper layer has an upper face, and an energy spectrum, which is obtained by means of x-ray photoelectron spectroscopy during an analysis of the upper face of the copper layer, exhibits a signal which comprises at least one peak P1 with a maximum ranging from 933.2 eV – 934.0 eV.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
COPPER-CERAMIC SUBSTRATE WITH SINTERABLE TOP SURFACE
SUBSTRAT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE AVEC UNE FACE SUPÉRIEURE FRITTABLE
STEGMANN TAMIRA (author) / THOMAS SVEN (author)
2024-08-28
Patent
Electronic Resource
German