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KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
Die Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat, die Verwendung eines Kupfer-Keramik- Substrats und ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Kupfer-Keramik-Substrat und einem Elektronikbauteil. Das Kupfer-Keramik-Substrat umfasst a) einen Keramikkörper und b) eine Kupferschicht, die mit dem Keramikkörper flächig verbunden ist, wobei die Kupferschicht eine Oberseite aufweist. Das Kupfer-Keramik-Substrat weist vor und nach einem Sputtern der Oberseite für 120 s ein Energiespektrum, das bei einer Analyse der Oberseite der Kupferschicht durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie erhalten wird, auf, das dem Kupfer-Keramik-Substrat eine besondere Eignung verleiht, mit einem Elektronikbauteil unter Verwendung eines Sintermaterials, das Silber umfasst, stoffschlüssig verbunden zu werden.
The invention relates to a copper-ceramic substrate, to the use of a copper-ceramic substrate, and to a method for producing a bonded connection between a copper-ceramic substrate and an electronic component. The copper-ceramic substrate comprises: a) a ceramic body and b) a copper layer which is connected to the ceramic body in a planar manner, wherein the copper layer has an upper face. Prior to and after sputtering the upper face for 120 s, the copper-ceramic substrate has an energy spectrum which is obtained by means of x-ray photoelectron spectroscopy during an analysis of the upper face of the copper layer and which gives the copper-ceramic substrate a particular suitability for being bonded to an electronic component using a sintering material that comprises silver.
L'invention concerne un substrat en cuivre-céramique, l'utilisation d'un substrat en cuivre-céramique, et un procédé de production d'une liaison collée entre un substrat en cuivre-céramique et un composant électronique. Le substrat en cuivre-céramique comprend : a) un corps en céramique et b) une couche de cuivre qui est reliée au corps en céramique de manière plane, la couche de cuivre ayant une face supérieure. Avant et après la pulvérisation de la face supérieure pendant 120 s, le substrat en cuivre-céramique a un spectre d'énergie qui est obtenu au moyen d'une spectroscopie photoélectronique à rayons X pendant une analyse de la face supérieure de la couche de cuivre et qui donne au substrat en cuivre-céramique une aptitude particulière à être liée à un composant électronique à l'aide d'un matériau de frittage qui comprend de l'argent.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
Die Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat, die Verwendung eines Kupfer-Keramik- Substrats und ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Kupfer-Keramik-Substrat und einem Elektronikbauteil. Das Kupfer-Keramik-Substrat umfasst a) einen Keramikkörper und b) eine Kupferschicht, die mit dem Keramikkörper flächig verbunden ist, wobei die Kupferschicht eine Oberseite aufweist. Das Kupfer-Keramik-Substrat weist vor und nach einem Sputtern der Oberseite für 120 s ein Energiespektrum, das bei einer Analyse der Oberseite der Kupferschicht durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie erhalten wird, auf, das dem Kupfer-Keramik-Substrat eine besondere Eignung verleiht, mit einem Elektronikbauteil unter Verwendung eines Sintermaterials, das Silber umfasst, stoffschlüssig verbunden zu werden.
The invention relates to a copper-ceramic substrate, to the use of a copper-ceramic substrate, and to a method for producing a bonded connection between a copper-ceramic substrate and an electronic component. The copper-ceramic substrate comprises: a) a ceramic body and b) a copper layer which is connected to the ceramic body in a planar manner, wherein the copper layer has an upper face. Prior to and after sputtering the upper face for 120 s, the copper-ceramic substrate has an energy spectrum which is obtained by means of x-ray photoelectron spectroscopy during an analysis of the upper face of the copper layer and which gives the copper-ceramic substrate a particular suitability for being bonded to an electronic component using a sintering material that comprises silver.
L'invention concerne un substrat en cuivre-céramique, l'utilisation d'un substrat en cuivre-céramique, et un procédé de production d'une liaison collée entre un substrat en cuivre-céramique et un composant électronique. Le substrat en cuivre-céramique comprend : a) un corps en céramique et b) une couche de cuivre qui est reliée au corps en céramique de manière plane, la couche de cuivre ayant une face supérieure. Avant et après la pulvérisation de la face supérieure pendant 120 s, le substrat en cuivre-céramique a un spectre d'énergie qui est obtenu au moyen d'une spectroscopie photoélectronique à rayons X pendant une analyse de la face supérieure de la couche de cuivre et qui donne au substrat en cuivre-céramique une aptitude particulière à être liée à un composant électronique à l'aide d'un matériau de frittage qui comprend de l'argent.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
COPPER-CERAMIC SUBSTRATE WITH AN UPPER FACE WHICH CAN BE SINTERED
SUBSTRAT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE PRÉSENTANT UNE FACE SUPÉRIEURE POUVANT ÊTRE FRITTÉE
STEGMANN TAMIRA (author) / THOMAS SVEN (author)
2024-08-29
Patent
Electronic Resource
German
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
/
B23K
Löten
,
SOLDERING OR UNSOLDERING
/
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C23F
Nichtmechanisches Entfernen metallischer Stoffe von Oberflächen
,
NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACES
/
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES