A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
Die Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat, die Verwendung eines Kupfer-Keramik-Substrats und ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Kupfer-Keramik-Substrat und einem Elektronikbauteil. Das Kupfer-Keramik-Substrat umfasst: a) einen Keramikkörper und b) eine Kupferschicht, die mit dem Keramikkörper flächig verbunden ist, wobei die Kupferschicht eine Oberseite aufweist, wobei ein Energiespektrum, das bei einer Analyse der Oberseite der Kupferschicht durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie erhalten wird, ein Signal aufweist, das wenigstens einen Peak P1 mit einem Maximum in einem Bereich von 933,2 eV – 934,0 eV umfasst.
The invention relates to a copper-ceramic substrate, to the use of a copper-ceramic substrate, and to a method for producing a bonded connection between a copper-ceramic substrate and an electronic component. The copper-ceramic substrate comprises: a) a ceramic body and b) a copper layer which is connected to the ceramic body in a planar manner, wherein the copper layer has an upper face, and an energy spectrum, which is obtained by means of x-ray photoelectron spectroscopy during an analysis of the upper face of the copper layer, exhibits a signal which comprises at least one peak P1 with a maximum ranging from 933.2 eV – 934.0 eV.
L'invention concerne un substrat cuivre-céramique, l'utilisation d'un substrat cuivre-céramique, et un procédé de production d'une liaison collée entre un substrat cuivre-céramique et un composant électronique. Le substrat cuivre-céramique comprend : a) un corps céramique et b) une couche de cuivre qui est reliée au corps céramique de manière plane, la couche de cuivre présentant une face supérieure, et un spectre d'énergie, qui est obtenu au moyen d'une spectroscopie photoélectronique à rayons X pendant une analyse de la face supérieure de la couche de cuivre, présente un signal qui comprend au moins un pic P1 avec un maximum allant de 933,2 eV à 934,0 eV.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
Die Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat, die Verwendung eines Kupfer-Keramik-Substrats und ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Kupfer-Keramik-Substrat und einem Elektronikbauteil. Das Kupfer-Keramik-Substrat umfasst: a) einen Keramikkörper und b) eine Kupferschicht, die mit dem Keramikkörper flächig verbunden ist, wobei die Kupferschicht eine Oberseite aufweist, wobei ein Energiespektrum, das bei einer Analyse der Oberseite der Kupferschicht durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie erhalten wird, ein Signal aufweist, das wenigstens einen Peak P1 mit einem Maximum in einem Bereich von 933,2 eV – 934,0 eV umfasst.
The invention relates to a copper-ceramic substrate, to the use of a copper-ceramic substrate, and to a method for producing a bonded connection between a copper-ceramic substrate and an electronic component. The copper-ceramic substrate comprises: a) a ceramic body and b) a copper layer which is connected to the ceramic body in a planar manner, wherein the copper layer has an upper face, and an energy spectrum, which is obtained by means of x-ray photoelectron spectroscopy during an analysis of the upper face of the copper layer, exhibits a signal which comprises at least one peak P1 with a maximum ranging from 933.2 eV – 934.0 eV.
L'invention concerne un substrat cuivre-céramique, l'utilisation d'un substrat cuivre-céramique, et un procédé de production d'une liaison collée entre un substrat cuivre-céramique et un composant électronique. Le substrat cuivre-céramique comprend : a) un corps céramique et b) une couche de cuivre qui est reliée au corps céramique de manière plane, la couche de cuivre présentant une face supérieure, et un spectre d'énergie, qui est obtenu au moyen d'une spectroscopie photoélectronique à rayons X pendant une analyse de la face supérieure de la couche de cuivre, présente un signal qui comprend au moins un pic P1 avec un maximum allant de 933,2 eV à 934,0 eV.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
COPPER-CERAMIC SUBSTRATE WITH AN UPPER FACE WHICH CAN BE SINTERED
SUBSTRAT CUIVRE-CÉRAMIQUE PRÉSENTANT UNE FACE SUPÉRIEURE POUVANT ÊTRE FRITTÉE
STEGMANN TAMIRA (author) / THOMAS SVEN (author)
2024-08-29
Patent
Electronic Resource
German