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FERROELECTRIC PZT FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, CAPACITOR AND FeRAM DEVICE
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead zirconate titanate (PZT) material having peculiar characteristics and applicability to a PZT thin film capacitor, for example, applicability to a ferroelectric capacitor structure, such as FeRAMs.SOLUTION: The PZT material is scalable, namely, dimensionally scalable, scalable in a pulse length and/or scalable in an electric field in the characteristics, and is useful for, for example, a ferroelectric capacitor over a wide range of thickness of approximately 20-150 nm and a range of lateral size lowly extended to 0.15 μm. The scalable PZT material is formed by a liquid supply MOCVD without a PZT film modification technique, such as, for example, a material acceptor dopant of Nb, Ta, La, Sr, Ca, etc., or a film modification agent.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】本発明は、独自の特性を有し、ＰＺＴ薄膜キャパシタへの適用性及び例えばＦｅＲＡＭｓのような強誘電体キャパシタ構造への適用性を有するジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）材料に関する。【解決手段】ＰＺＴ材料はスケーラブルであり、すなわち、寸法的にスケーラブルで、パルス長スケーラブルで、および／またはその特性において電界スケーラブルであり、例えば約２０ナノメートルから約１５０ナノメートルの広い厚さの範囲、および、０．１５μｍまで低く延在する横寸法の範囲に亘って強誘電体キャパシタに有用である。本発明のスケーラブルなＰＺＴ材料は、例えば、Ｎｂ、Ｔａ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃａ等である材料アクセプタドーパントまたはフィルム改質剤等のＰＺＴフィルム改質技術無しに、液体供給ＭＯＣＶＤにより形成され得る。【選択図】図２
FERROELECTRIC PZT FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, CAPACITOR AND FeRAM DEVICE
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead zirconate titanate (PZT) material having peculiar characteristics and applicability to a PZT thin film capacitor, for example, applicability to a ferroelectric capacitor structure, such as FeRAMs.SOLUTION: The PZT material is scalable, namely, dimensionally scalable, scalable in a pulse length and/or scalable in an electric field in the characteristics, and is useful for, for example, a ferroelectric capacitor over a wide range of thickness of approximately 20-150 nm and a range of lateral size lowly extended to 0.15 μm. The scalable PZT material is formed by a liquid supply MOCVD without a PZT film modification technique, such as, for example, a material acceptor dopant of Nb, Ta, La, Sr, Ca, etc., or a film modification agent.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】本発明は、独自の特性を有し、ＰＺＴ薄膜キャパシタへの適用性及び例えばＦｅＲＡＭｓのような強誘電体キャパシタ構造への適用性を有するジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）材料に関する。【解決手段】ＰＺＴ材料はスケーラブルであり、すなわち、寸法的にスケーラブルで、パルス長スケーラブルで、および／またはその特性において電界スケーラブルであり、例えば約２０ナノメートルから約１５０ナノメートルの広い厚さの範囲、および、０．１５μｍまで低く延在する横寸法の範囲に亘って強誘電体キャパシタに有用である。本発明のスケーラブルなＰＺＴ材料は、例えば、Ｎｂ、Ｔａ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃａ等である材料アクセプタドーパントまたはフィルム改質剤等のＰＺＴフィルム改質技術無しに、液体供給ＭＯＣＶＤにより形成され得る。【選択図】図２
FERROELECTRIC PZT FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, CAPACITOR AND FeRAM DEVICE
強誘電性ＰＺＴ膜及びその製造方法、キャパシタ、並びにＦｅＲＡＭデバイス
PETER C VAN BUSKIRK (author) / ROEDER JEFFREY F (author) / STEVEN M BILODEAU (author) / MICHAEL W RUSSELL (author) / STEPHEN T JOHNSTON (author) / DANIEL J VESTYCK (author) / THOMAS H BAUM (author)
2016-03-10
Patent
Electronic Resource
Japanese
Study on oxidization of Ru and its application as electrode of PZT capacitor for FeRAM
| British Library Online Contents | 2007
Ferroelectric film, electronic component using same, and method for manufacturing ferroelectric film
| European Patent Office | 2022
| Wiley | 2019
Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same
| European Patent Office | 2021