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Mn-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Mn-doped PZT-based piezoelectric film formed by CSD method, having a thickness of 0.8 μm or more, excellent in stability after polarization processing, and the piezoelectric characteristics of which do not deteriorate.SOLUTION: A PZT-based piezoelectric film is composed of a Mn-doped composite oxide, and formed by CSD method. When the total mol number of Zr and Ti in the composite oxide is 1 mol, the mole ratio of Mn is in a range of 0.01-0.045, and the PZT-based piezoelectric film crystal oriented to the (100) plane or (001) plane preferentially has a thickness of 0.8-3 μm. The orientation of the (100) plane or (001) plane by X-ray diffraction is preferably 95% or more, and deviation D of the hysteresis loop of the polarization-electric field characteristics is preferably at least 8.8 kV/cm.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】ＣＳＤ法により形成された、膜厚が０．８ｍ以上であり、かつ分極処理後の安定性に優れ、圧電特性が低下しないＭｎドープのＰＺＴ系圧電体膜を提供する。【解決手段】Ｍｎドープの複合酸化物からなるＣＳＤ法により形成されたＰＺＴ系圧電体膜である。複合酸化物中のＺｒとＴｉの合計モル数を１モルとするとき、Ｍｎのモル比が０．０１〜０．０４５の範囲にあり、ＰＺＴ系圧電体膜が（１００）面又は（００１）面に優先的に結晶配向された膜厚が０．８〜３μｍであるＭｎがドープされたＰＺＴ系圧電体膜である。Ｘ線回折による（１００）面又は（００１）面の配向度が９５％以上であることが好ましく、分極−電界特性のヒステリシスループのずれＤが少なくとも８．８ｋＶ／ｃｍであることが好ましい。【選択図】図１
Mn-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Mn-doped PZT-based piezoelectric film formed by CSD method, having a thickness of 0.8 μm or more, excellent in stability after polarization processing, and the piezoelectric characteristics of which do not deteriorate.SOLUTION: A PZT-based piezoelectric film is composed of a Mn-doped composite oxide, and formed by CSD method. When the total mol number of Zr and Ti in the composite oxide is 1 mol, the mole ratio of Mn is in a range of 0.01-0.045, and the PZT-based piezoelectric film crystal oriented to the (100) plane or (001) plane preferentially has a thickness of 0.8-3 μm. The orientation of the (100) plane or (001) plane by X-ray diffraction is preferably 95% or more, and deviation D of the hysteresis loop of the polarization-electric field characteristics is preferably at least 8.8 kV/cm.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】ＣＳＤ法により形成された、膜厚が０．８ｍ以上であり、かつ分極処理後の安定性に優れ、圧電特性が低下しないＭｎドープのＰＺＴ系圧電体膜を提供する。【解決手段】Ｍｎドープの複合酸化物からなるＣＳＤ法により形成されたＰＺＴ系圧電体膜である。複合酸化物中のＺｒとＴｉの合計モル数を１モルとするとき、Ｍｎのモル比が０．０１〜０．０４５の範囲にあり、ＰＺＴ系圧電体膜が（１００）面又は（００１）面に優先的に結晶配向された膜厚が０．８〜３μｍであるＭｎがドープされたＰＺＴ系圧電体膜である。Ｘ線回折による（１００）面又は（００１）面の配向度が９５％以上であることが好ましく、分極−電界特性のヒステリシスループのずれＤが少なくとも８．８ｋＶ／ｃｍであることが好ましい。【選択図】図１
Mn-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM
ＭｎドープのＰＺＴ系圧電体膜
DOI TOSHIHIRO (author) / SOYAMA NOBUYUKI (author)
2016-08-08
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2015
| European Patent Office | 2017
| European Patent Office | 2019