A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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To provide a tantalum carbide coating material in which problems including stress reduction, bending, exfoliation and the like of a tantalum carbide coating layer and a carbon substrate have been solved.SOLUTION: A tantalum carbide coating material of this invention comprises: a carbon substrate; and a tantalum carbide coating formed on the carbon substrate, wherein a thermal expansion coefficient difference between the carbon substrate and the tantalum carbide coating is 1.0×10-6/°C or more.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】本発明は、炭化タンタルコーティング層と炭素基材の応力減少、曲げ、剥離などの問題の解決された炭化タンタルコーティング材料を提供することにある。【解決手段】本発明の炭化タンタルコーティング材料は、炭素基材と、炭素基材上に形成された炭化タンタルコーティングと、を含み、炭素基材の熱膨張係数及び炭化タンタルコーティングの熱膨張係数の差が１．０×１０−６／℃以上である。【選択図】図１
To provide a tantalum carbide coating material in which problems including stress reduction, bending, exfoliation and the like of a tantalum carbide coating layer and a carbon substrate have been solved.SOLUTION: A tantalum carbide coating material of this invention comprises: a carbon substrate; and a tantalum carbide coating formed on the carbon substrate, wherein a thermal expansion coefficient difference between the carbon substrate and the tantalum carbide coating is 1.0×10-6/°C or more.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】本発明は、炭化タンタルコーティング層と炭素基材の応力減少、曲げ、剥離などの問題の解決された炭化タンタルコーティング材料を提供することにある。【解決手段】本発明の炭化タンタルコーティング材料は、炭素基材と、炭素基材上に形成された炭化タンタルコーティングと、を含み、炭素基材の熱膨張係数及び炭化タンタルコーティングの熱膨張係数の差が１．０×１０−６／℃以上である。【選択図】図１
TANTALUM CARBIDE COATING MATERIAL
炭化タンタルコーティング材料
JO DONG WAN (author)
2020-07-16
Patent
Electronic Resource
Japanese
TANTALUM CARBIDE COATING MATERIAL AND COMPOUND SEMICONDUCTOR GROWTH DEVICE
| European Patent Office | 2024
TANTALUM CARBIDE COATING MATERIAL AND COMPOUND SEMICONDUCTOR GROWTH DEVICE
| European Patent Office | 2024
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