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TANTALUM CARBIDE COATING MATERIAL AND COMPOUND SEMICONDUCTOR GROWTH DEVICE
The present invention is a tantalum carbide coating material 1 including a base material 12 and a tantalum carbide coating film 11 that coats at least a part of the base material 12, wherein the number of intersections of cracks present on the surface of the tantalum carbide coating film 11 per unit area is 25/cm2 or less. A compound semiconductor growth device according to the present invention uses the tantalum carbide coating material according to the present invention. With the present invention, it is possible to provide a tantalum carbide coating material capable of suppressing peeling of a tantalum carbide coating film in a high-temperature, corrosive environment, and provide a compound semiconductor growth device using the tantalum carbide coating material.
La présente invention concerne un matériau de revêtement en carbure de tantale (1) comprenant un matériau de base (12) et un film de revêtement en carbure de tantale (11) qui recouvre au moins une partie du matériau de base (12), le nombre d'intersections de fissures présentes sur la surface du film de revêtement en carbure de tantale (11) par unité de surface étant inférieur ou égal à 25/cm2. Un dispositif de croissance de semi-conducteur composé selon la présente invention utilise le matériau de revêtement en carbure de tantale selon la présente invention. Grâce à la présente invention, il est possible de fournir un matériau de revêtement en carbure de tantale permettant de supprimer le décollement d'un film de revêtement en carbure de tantale dans un environnement corrosif à haute température, et de fournir un dispositif de croissance de semi-conducteur composé utilisant le matériau de revêtement en carbure de tantale.
本発明は、基材１２と、基材１２の少なくとも一部を被覆する炭化タンタル被覆膜１１とを含む炭化タンタル被覆材料１であって、炭化タンタル被覆膜１１の表面に存在するクラックの交点の単位面積あたりの数が２５個／ｃｍ２以下である。本発明の化合物半導体成長装置は、本発明の炭化タンタル被覆材料を使用する。本発明によれば、高温腐食環境下における炭化タンタル被覆膜の剥離を抑制できる炭化タンタル被覆材料及びその炭化タンタル被覆材料を使用した化合物半導体成長装置を提供することができる。
TANTALUM CARBIDE COATING MATERIAL AND COMPOUND SEMICONDUCTOR GROWTH DEVICE
The present invention is a tantalum carbide coating material 1 including a base material 12 and a tantalum carbide coating film 11 that coats at least a part of the base material 12, wherein the number of intersections of cracks present on the surface of the tantalum carbide coating film 11 per unit area is 25/cm2 or less. A compound semiconductor growth device according to the present invention uses the tantalum carbide coating material according to the present invention. With the present invention, it is possible to provide a tantalum carbide coating material capable of suppressing peeling of a tantalum carbide coating film in a high-temperature, corrosive environment, and provide a compound semiconductor growth device using the tantalum carbide coating material.
La présente invention concerne un matériau de revêtement en carbure de tantale (1) comprenant un matériau de base (12) et un film de revêtement en carbure de tantale (11) qui recouvre au moins une partie du matériau de base (12), le nombre d'intersections de fissures présentes sur la surface du film de revêtement en carbure de tantale (11) par unité de surface étant inférieur ou égal à 25/cm2. Un dispositif de croissance de semi-conducteur composé selon la présente invention utilise le matériau de revêtement en carbure de tantale selon la présente invention. Grâce à la présente invention, il est possible de fournir un matériau de revêtement en carbure de tantale permettant de supprimer le décollement d'un film de revêtement en carbure de tantale dans un environnement corrosif à haute température, et de fournir un dispositif de croissance de semi-conducteur composé utilisant le matériau de revêtement en carbure de tantale.
本発明は、基材１２と、基材１２の少なくとも一部を被覆する炭化タンタル被覆膜１１とを含む炭化タンタル被覆材料１であって、炭化タンタル被覆膜１１の表面に存在するクラックの交点の単位面積あたりの数が２５個／ｃｍ２以下である。本発明の化合物半導体成長装置は、本発明の炭化タンタル被覆材料を使用する。本発明によれば、高温腐食環境下における炭化タンタル被覆膜の剥離を抑制できる炭化タンタル被覆材料及びその炭化タンタル被覆材料を使用した化合物半導体成長装置を提供することができる。
TANTALUM CARBIDE COATING MATERIAL AND COMPOUND SEMICONDUCTOR GROWTH DEVICE
MATÉRIAU DE REVÊTEMENT EN CARBURE DE TANTALE ET DISPOSITIF DE CROISSANCE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
炭化タンタル被覆材料及び化合物半導体成長装置
MIYAJIMA NAOYA (author) / HIRATE AKIHIRO (author) / YAMAMURA WAICHI (author)
2024-10-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
TANTALUM CARBIDE COATING MATERIAL AND COMPOUND SEMICONDUCTOR GROWTH DEVICE
| European Patent Office | 2024
Tantalum carbide coating for semiconductor growth and preparation method thereof
| European Patent Office | 2024