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SINTERED SILICON NITRIDE
To enable even a sintered silicon nitride 100 μm thick to satisfy the requirement of high breakdown voltage.SOLUTION: When a plate-like sintered silicon nitride 100 μm thick is subjected to an AC voltage, its breakdown voltage is 5 kV or more. The results of measuring the breakdown voltage of the sintered silicon nitride thicker than 100 μm are converted to the values per 100 μm, which cannot guarantee the actual breakdown voltage when it is polished to about 100 μm, but the present invention can guarantee it.SELECTED DRAWING: Figure 5
【課題】厚さ１００μｍでも高い絶縁破壊電圧が要求される窒化ケイ素焼結体の用途に対応できるようにする。【解決手段】厚さ１００μｍの板状の窒化ケイ素焼結体に交流電圧を印加したときの絶縁破壊電圧が５ｋＶ以上である。１００μｍよりも厚さが大きい焼結体で測定された絶縁破壊電圧を測定結果を１００μｍあたりに換算して得られる数値は、実際に１００μｍほどに研磨したときの絶縁破壊電圧を保証することはできないが、本発明はその保証を可能とする。【選択図】図５
SINTERED SILICON NITRIDE
To enable even a sintered silicon nitride 100 μm thick to satisfy the requirement of high breakdown voltage.SOLUTION: When a plate-like sintered silicon nitride 100 μm thick is subjected to an AC voltage, its breakdown voltage is 5 kV or more. The results of measuring the breakdown voltage of the sintered silicon nitride thicker than 100 μm are converted to the values per 100 μm, which cannot guarantee the actual breakdown voltage when it is polished to about 100 μm, but the present invention can guarantee it.SELECTED DRAWING: Figure 5
【課題】厚さ１００μｍでも高い絶縁破壊電圧が要求される窒化ケイ素焼結体の用途に対応できるようにする。【解決手段】厚さ１００μｍの板状の窒化ケイ素焼結体に交流電圧を印加したときの絶縁破壊電圧が５ｋＶ以上である。１００μｍよりも厚さが大きい焼結体で測定された絶縁破壊電圧を測定結果を１００μｍあたりに換算して得られる数値は、実際に１００μｍほどに研磨したときの絶縁破壊電圧を保証することはできないが、本発明はその保証を可能とする。【選択図】図５
SINTERED SILICON NITRIDE
窒化ケイ素焼結体
MATSUMOTO OSAMU (author) / TAKAHASHI MITSUTAKA (author)
2022-11-02
Patent
Electronic Resource
Japanese
Sintered silicon nitride and method for producing sintered silicon nitride
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2020
| European Patent Office | 2017