A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
SINTERED SILICON NITRIDE
This sintered silicon nitride is characterized in that, in a transmission electron microscope (TEM) image, grain boundary planes for which the average of inverses (1/M) of interplanar spacing matching (M), which indicates coincidence between grain boundary planes, is 0-0.5. The present invention can give a sintered silicon nitride having a high thermal conductivity.
L'invention concerne du nitrure de silicium fritté qui est caractérisé en ce que, dans une image en microscope électronique à transmission (MET), des plans de joints de grain pour lesquels la moyenne d'inverses (1/M) d'une adaptation (M) d'espacement interplanaire, qui indique une coïncidence entre plans de joints de grain, est de 0 à 0,5. La présente invention peut aboutir à un nitrure de silicium fritté ayant une conductivité thermique élevée.
本発明の窒化ケイ素焼結体は、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）画像において、粒界面の整合性を示す面間隔一致度（Ｍ）の逆数値（１／Ｍ）の平均値が０～０．５となる粒界面を有することを特徴とする窒化ケイ素焼結体である。 本発明によれば、熱伝導率の高い窒化ケイ素焼結体を提供することができる。
SINTERED SILICON NITRIDE
This sintered silicon nitride is characterized in that, in a transmission electron microscope (TEM) image, grain boundary planes for which the average of inverses (1/M) of interplanar spacing matching (M), which indicates coincidence between grain boundary planes, is 0-0.5. The present invention can give a sintered silicon nitride having a high thermal conductivity.
L'invention concerne du nitrure de silicium fritté qui est caractérisé en ce que, dans une image en microscope électronique à transmission (MET), des plans de joints de grain pour lesquels la moyenne d'inverses (1/M) d'une adaptation (M) d'espacement interplanaire, qui indique une coïncidence entre plans de joints de grain, est de 0 à 0,5. La présente invention peut aboutir à un nitrure de silicium fritté ayant une conductivité thermique élevée.
本発明の窒化ケイ素焼結体は、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）画像において、粒界面の整合性を示す面間隔一致度（Ｍ）の逆数値（１／Ｍ）の平均値が０～０．５となる粒界面を有することを特徴とする窒化ケイ素焼結体である。 本発明によれば、熱伝導率の高い窒化ケイ素焼結体を提供することができる。
SINTERED SILICON NITRIDE
NITRURE DE SILICIUM FRITTÉ
窒化ケイ素焼結体
ISHIMOTO RYUJI (author) / KUSANO DAI (author)
2024-12-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
Sintered silicon nitride and method for producing sintered silicon nitride
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2020
| European Patent Office | 2017