A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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TABLET FOR VAPOR DEPOSITION
본 발명의 증착용 타블렛은 산화인듐 소결체의 파단면에 나타나는 결정립의 입도 분포에 있어서의 최대 피크를 구성하는 입경의 결정립이 차지하는 비율이 20% 이하인 것을 특징으로 하고, 이 증착용 타블렛은 산화인듐 분말과 산화세륨 분말을 혼합하여 1300℃ 이상 1550℃ 이하에서 열처리하여 하소 분말을 얻는 제1 공정과, 얻어진 하소 분말에 미하소의 산화인듐 분말 및/또는 산화세륨 분말을 상기 하소 분말의 비율이 50질량% 이상 80질량% 이하가 되도록 혼합하고 또한 조립하여 조립 분말을 얻는 제2 공정과, 얻어진 조립 분말을 성형하여 성형체로 하고 이 성형체를 1100℃ 이상 1350℃ 이하에서 또한 제1 공정에 있어서의 하소 분말의 열처리 온도보다 200℃ 이상 낮은 온도에서 소결하여 세륨을 도펀트로서 포함하는 산화인듐의 소결체를 얻는 제3 공정을 구비하는 방법에 의해 제조된다.
TABLET FOR VAPOR DEPOSITION
본 발명의 증착용 타블렛은 산화인듐 소결체의 파단면에 나타나는 결정립의 입도 분포에 있어서의 최대 피크를 구성하는 입경의 결정립이 차지하는 비율이 20% 이하인 것을 특징으로 하고, 이 증착용 타블렛은 산화인듐 분말과 산화세륨 분말을 혼합하여 1300℃ 이상 1550℃ 이하에서 열처리하여 하소 분말을 얻는 제1 공정과, 얻어진 하소 분말에 미하소의 산화인듐 분말 및/또는 산화세륨 분말을 상기 하소 분말의 비율이 50질량% 이상 80질량% 이하가 되도록 혼합하고 또한 조립하여 조립 분말을 얻는 제2 공정과, 얻어진 조립 분말을 성형하여 성형체로 하고 이 성형체를 1100℃ 이상 1350℃ 이하에서 또한 제1 공정에 있어서의 하소 분말의 열처리 온도보다 200℃ 이상 낮은 온도에서 소결하여 세륨을 도펀트로서 포함하는 산화인듐의 소결체를 얻는 제3 공정을 구비하는 방법에 의해 제조된다.
| European Patent Office | 2017
| European Patent Office | 2021
VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS, AND NANOMATERIALS FORMED BY VAPOR DEPOSITION
| European Patent Office | 2023