A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조방법
IGZO를 대신하는 고특성의 산화물 반도체 박막 제조용의 스퍼터링 타깃 및 그 제조방법을 제공하는 것. 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 1형태에 따른 스퍼터링 타깃은 인듐, 주석, 및 게르마늄을 포함하는 산화물 소결체로 구성되고, 인듐, 주석, 및 게르마늄의 총합에 대한 게르마늄의 원자비가 0.07 이상 0.40 이하이고, 인듐, 주석, 및 게르마늄의 총합에 대한 주석의 원자비가 0.04 이상 0.60 이하이다. 이것에 의해, 10㎠/Vs 이상의 이동도를 가지는 트랜지스터 특성을 얻을 수 있다.
[Object] To provide a sputtering target for producing an oxide semiconductor thin film having high properties, which serves as a substitute for IGZO, and a method of producing the same.[Solving Means] In order to achieve the above-mentioned object, a sputtering target according to an embodiment of the present invention includes: an oxide sintered body including indium, tin, and germanium, in which an atom ratio of germanium with respect to a total of indium, tin, and germanium is 0.07 or more and 0.40 or less, and an atom ratio of tin with respect to the total of indium, tin, and germanium is 0.04 or more and 0.60 or less. As a result, it is possible to achieve transistor characteristics of having mobility of 10 cm2/Vs or more.
스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조방법
IGZO를 대신하는 고특성의 산화물 반도체 박막 제조용의 스퍼터링 타깃 및 그 제조방법을 제공하는 것. 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 1형태에 따른 스퍼터링 타깃은 인듐, 주석, 및 게르마늄을 포함하는 산화물 소결체로 구성되고, 인듐, 주석, 및 게르마늄의 총합에 대한 게르마늄의 원자비가 0.07 이상 0.40 이하이고, 인듐, 주석, 및 게르마늄의 총합에 대한 주석의 원자비가 0.04 이상 0.60 이하이다. 이것에 의해, 10㎠/Vs 이상의 이동도를 가지는 트랜지스터 특성을 얻을 수 있다.
[Object] To provide a sputtering target for producing an oxide semiconductor thin film having high properties, which serves as a substitute for IGZO, and a method of producing the same.[Solving Means] In order to achieve the above-mentioned object, a sputtering target according to an embodiment of the present invention includes: an oxide sintered body including indium, tin, and germanium, in which an atom ratio of germanium with respect to a total of indium, tin, and germanium is 0.07 or more and 0.40 or less, and an atom ratio of tin with respect to the total of indium, tin, and germanium is 0.04 or more and 0.60 or less. As a result, it is possible to achieve transistor characteristics of having mobility of 10 cm2/Vs or more.