A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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PASSAGE MEMBER AND SEMICONDUCTOR MODULE
(과제) 방열 특성이 우수한 유로 부재 및 이 유로 부재에 형성된 금속층 상에 반도체 소자를 탑재해서 이루어지는 반도체 모듈을 제공한다. (해결 수단) 벽으로 둘러싸인 공간이 유체가 흐르는 유로(2)이며, 상기 벽이 세라믹스로 이루어지는 유로 부재(1)로서 상기 벽 중 열교환이 행해지는 벽부의 내면(3a)에 있어서의 입계상의 면적 점유율이 외면(3b)에 있어서의 입계상의 면적 점유율보다 작은 유로 부재(1)이다. 이와 같은 구성을 만족시키고 있는 점으로부터 유로 부재(1)는 방열 특성이 우수하다.
There are provided a flow passage member having excellent heat dissipation properties and a semiconductor module in which a semiconductor device is mounted on a metal layer disposed on the flow passage member. A flow passage member (1) includes a wall formed of ceramics, a space surrounded by the wall being a flow passage (2) through which a fluid flows, a ratio of an area occupied by a grain boundary phase in an inner surface (3a) of a wall part of the wall in which wall part heat exchange is conducted being smaller than a ratio of an area occupied by a grain boundary phase in an outer surface (3b) of the wall part. The flow passage member (1) configured as described above has excellent heat dissipation properties.
PASSAGE MEMBER AND SEMICONDUCTOR MODULE
(과제) 방열 특성이 우수한 유로 부재 및 이 유로 부재에 형성된 금속층 상에 반도체 소자를 탑재해서 이루어지는 반도체 모듈을 제공한다. (해결 수단) 벽으로 둘러싸인 공간이 유체가 흐르는 유로(2)이며, 상기 벽이 세라믹스로 이루어지는 유로 부재(1)로서 상기 벽 중 열교환이 행해지는 벽부의 내면(3a)에 있어서의 입계상의 면적 점유율이 외면(3b)에 있어서의 입계상의 면적 점유율보다 작은 유로 부재(1)이다. 이와 같은 구성을 만족시키고 있는 점으로부터 유로 부재(1)는 방열 특성이 우수하다.
There are provided a flow passage member having excellent heat dissipation properties and a semiconductor module in which a semiconductor device is mounted on a metal layer disposed on the flow passage member. A flow passage member (1) includes a wall formed of ceramics, a space surrounded by the wall being a flow passage (2) through which a fluid flows, a ratio of an area occupied by a grain boundary phase in an inner surface (3a) of a wall part of the wall in which wall part heat exchange is conducted being smaller than a ratio of an area occupied by a grain boundary phase in an outer surface (3b) of the wall part. The flow passage member (1) configured as described above has excellent heat dissipation properties.
PASSAGE MEMBER AND SEMICONDUCTOR MODULE
유로 부재 및 반도체 모듈
ISHIMINE YUUSAKU (author) / KOMATSUBARA KENJI (author)
2016-10-14
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
/
B32B
LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
,
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
H05K
PRINTED CIRCUITS
,
Gedruckte Schaltungen
GROOVE PASSAGE CONSTITUTION MEMBER AND MANUFACTURING METHOD OF GROOVE PASSAGE CONSTITUTION MEMBER
| European Patent Office | 2024