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Mn Nb PZT MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
본 발명의 Mn 및 Nb 도프의 PZT 계 압전체막은, Mn 및 Nb 도프의 복합 금속 산화물로 이루어지고, 막 중의 금속 원자비 (Pb : Mn : Nb : Zr : Ti) 가 (0.98 ∼ 1.12) : (0.002 ∼ 0.056) : (0.002 ∼ 0.056) : (0.40 ∼ 0.60) : (0.40 ∼ 0.60) 을 만족하고, 또한 상기 Mn 및 Nb 의 금속 원자비의 합계를 1 로 했을 때의 상기 Mn 의 비율이 0.20 ∼ 0.80, 상기 Zr 및 Ti 의 금속 원자비의 합계를 1 로 했을 때의 상기 Zr 의 비율이 0.40 ∼ 0.60, 상기 Mn, Nb, Zr 및 Ti 의 금속 원자비의 합계를 1 로 했을 때의 상기 Zr 및 Ti 의 합계 비율이 0.9300 ∼ 0.9902 이다.
A Mn and Nb co-doped PZT-based piezoelectric film formed of Mn and Nb co-doped composite metal oxides is provided, in which a metal atom ratio (Pb:Mn:Nb:Zr:Ti) in the film satisfies (0.98 to 1.12):(0.002 to 0.056):(0.002 to 0.056):(0.40 to 0.60):(0.40 to 0.60), a rate of Mn is from 0.20 to 0.80 when the total of metal atom rates of Mn and Nb is 1, a rate of Zr is from 0.40 to 0.60 when the total of metal atom rates of Zr and Ti is 1, and the total rate of Zr and Ti is from 0.9300 to 0.9902 when the total of metal atom rates of Mn, Nb, Zr, and Ti is 1.
Mn Nb PZT MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
본 발명의 Mn 및 Nb 도프의 PZT 계 압전체막은, Mn 및 Nb 도프의 복합 금속 산화물로 이루어지고, 막 중의 금속 원자비 (Pb : Mn : Nb : Zr : Ti) 가 (0.98 ∼ 1.12) : (0.002 ∼ 0.056) : (0.002 ∼ 0.056) : (0.40 ∼ 0.60) : (0.40 ∼ 0.60) 을 만족하고, 또한 상기 Mn 및 Nb 의 금속 원자비의 합계를 1 로 했을 때의 상기 Mn 의 비율이 0.20 ∼ 0.80, 상기 Zr 및 Ti 의 금속 원자비의 합계를 1 로 했을 때의 상기 Zr 의 비율이 0.40 ∼ 0.60, 상기 Mn, Nb, Zr 및 Ti 의 금속 원자비의 합계를 1 로 했을 때의 상기 Zr 및 Ti 의 합계 비율이 0.9300 ∼ 0.9902 이다.
A Mn and Nb co-doped PZT-based piezoelectric film formed of Mn and Nb co-doped composite metal oxides is provided, in which a metal atom ratio (Pb:Mn:Nb:Zr:Ti) in the film satisfies (0.98 to 1.12):(0.002 to 0.056):(0.002 to 0.056):(0.40 to 0.60):(0.40 to 0.60), a rate of Mn is from 0.20 to 0.80 when the total of metal atom rates of Mn and Nb is 1, a rate of Zr is from 0.40 to 0.60 when the total of metal atom rates of Zr and Ti is 1, and the total rate of Zr and Ti is from 0.9300 to 0.9902 when the total of metal atom rates of Mn, Nb, Zr, and Ti is 1.
Mn Nb PZT MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
Mn 및 Nb 도프의 PZT 계 압전체막
DOI TOSHIHIRO (author) / SAKURAI HIDEAKI (author) / SOYAMA NOBUYUKI (author)
2016-12-05
Patent
Electronic Resource
Korean
MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL FILM
| European Patent Office | 2015
COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
| European Patent Office | 2020
Mn Nb PZT MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
European Patent Office | 2021
COMPOSITION FOR FORMING MANGANESE- AND NIOBIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
| European Patent Office | 2015